内存垄断将打破 中国存储产业将迎来发展的关键阶段

内存垄断将打破

数据显示，去年内存(DRAM)价格每季度涨幅都超过20%，被动元器件中的电容更是收获了4~5倍的涨幅。业内人士分析称，去年内存涨价的根本原因是供需失衡。供给方面，三星、海力士以及美光三家厂商此前有一部分内存生产线已转做闪存，导致产能减少。加之内存工艺节点向前推进缓慢、产品良率不高等原因使得供给不足。2018上半年，内存供应依然偏紧，价格将延续上涨的趋势，至少要等到下半年供需平衡，价格才可能会往下走。

据报道，今年下半年，国内三大存储厂商长江存储、福建晋华、合肥长鑫将相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。国产内存虽然暂时难以撼动三星、美光、SK海力士等国际存储巨头的地位，但或将对全球存储市场价格走势产生影响。

内存条

目前，中国存储产业有投入NAND Flash市场的长江存储，有专注于手机内存的合肥长鑫，以及致力于DRAM内存的福建晋华三大阵营。近期传出合肥长鑫投产8Gb LPDDR4规格的DRAM芯片，被视为我国DRAM产业的里程碑事件，这款DRAM芯片或将于今年年底前推出8GB DDR4工程样品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4内存。

紫光旗下的长江存储已获得首笔超过1万颗的晶片订单，但32层3D NAND Flash量产规模仍有限，单月仅约5000片，长江存储的研发重点将集中于64层3D NAND Flash，2018年底前推出第一个产品样本，预计2020年产能快速推进至单月10万片。业内人士预计，从2020～2021年起，中国存储产业将开始取得全球产业话语权。