2020-2025年版3D打印设备项目可行性研究报告
中芯国际回应被美国拉入黑名单。9月26日晚间，据外媒报道，一份疑似由美国商务部工业与安全局签发的文件内容显示，针对中芯国际及其子公司和合资公司出口的某些产品，将受到出口管制，而文件的签发日期为美国当地时间9月25 日。据报道，中芯国际对此表示，它将继续与美国商务部合作，并重申，“中芯国际只为民用和商用的终端用户提供产品及服务。”同时中芯国际还强调，该公司并未收到此类官方消息。目前上述文件的真实性还有待确认，美国商务部网站也并未发布相关文件。
根据中研普华研究报告《2020-2025年芯片设计行业市场深度分析及发展策略研究报告》分析：
中芯国际集成电路制造有限公司，是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路芯片制造企业。主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际是纯商业性集成电路代工厂，提供 0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务。
国务院前阵子印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》(下称《若干政策》)，《若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。
在政策大力推动下，芯片产业有很大的国产替代空间，整个国内芯片行业市场化发展程度也有很大的提升空间。国务院发布的相关数据显示，中国芯片自给率要在2025年达到70%，而2019年我国芯片自给率仅为30%左右。
据最新报道，在部分客户问及中芯国际N+1、N+2等先进工艺的芯片量产进展时，该司对此表示，第二代 FinFET N+1已进入客户导入阶段，预计有望在2020年底实现小批量试产。根据业界此前的说法，目前中芯国际全力“攻坚”的N+1、N+2工艺，将是对标台积电7nm芯片的重要业务。
今年3月，中芯国际正式对外界解开了其N+1、N+2工艺项目的“神秘面纱”。根据报道，中芯国际相关人士详细解释道，N+1其实是该司内部对该项目的“代称”，在性能上与台积电等推进的7nm工艺还存在一定距离，但就功耗、稳定性方面来说，N+1可以与7nm相媲美。
据此，业界认为中芯国际的N+1可以说成是“低配版”的7nm工艺，性能上类似于台积电、三星的10nm。按照这家中国芯片制造商的想法，通过大力推进N+1项目，既可以令其暂时减轻远远落后于台积电的压力，也可以凭借“低成本”的巨大优势，率先拿下高端芯片市场的一部分份额。
要知道，自从美国发布新规之后，中芯国际就被外界视为华为“破局”的重要合作伙伴。今年年初 ，华为将14nm芯片订单交由中芯国际，而华为海思也一举成为其最大客户。9月15日当天，中芯国际也表示，该司已经向美国提交了申请，力争与华为的合作继续进行。
早在今年4月，中芯国际就完成了N+1工艺的客户介绍和产品认证步骤，流片阶段也于去年年末顺利完工。至于因美国方面干预而迟迟没有“到手”的EUV光刻机，中芯国际也表示，当前正在进行的N+1和N+2项目暂且用不到这个设备。
不过，中科院日前的一则举动，无疑将进一步缓解中芯国际“没有光刻机”以及“造不出高端芯片”的困境。9月16日当天，国家队选手——中科院释放出“重要信号”，接下来将跑步入场，聚焦关键的核心技术，解决我国光刻机、高端芯片等方面的生产难题。
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2020-2025年版3D打印设备项目可行性研究报告
