2021-2025年中国工业芯片行业市场调研与竞争格局报告
12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。
据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。
上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。
根据中研普华《2020-2025年中国NAND闪存行业市场调研分析及投资战略研究咨询报告》分析：
据国外媒体报道，研究机构在最新的报告中预计，DRAM 今年仍将会是销售额最高的半导体产品，接近电脑 CPU 销售额 1.5 倍。
从研究机构的预计来看，DRAM 今年的销售额将达到 652.15 亿美元，将连续 4 年成为销售额最高的半导体产品，而在明年，预计依旧会是最高的。
在半导体产品中，销售额仅次于 DRAM 的将是 NAND 闪存，研究机构预计其今年的销售额为 551.54 亿美元，较 DRAM 低 100.64 亿美元。
虽然 NAND 闪存今年的销售额依旧不是最高的，但研究机构预计同比增长率将达到 25%，在半导体产品中是最高的。
销售额在 DRAM 和 NAND 闪存之后的，将是电脑 CPU，研究机构预计销售额为 438.48 亿美元，较 DRAM 低 213.67 亿美元，较 NAND 闪存则低 113.06 亿美元。
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2021-2025年中国工业芯片行业市场调研与竞争格局报告
