三星电子计划降低存储芯片产能增速 芯片价格或受影响

据彭博社援引知情人士的话称，三星电子正计划降低存储芯片的产能增速，以在预期需求放缓之际维持供需平衡。

知情人士称，三星此举将有助于维持或推高内存芯片的价格。

据称，三星电子目前预计，DRAM内存的产能位元成长率(bit growth)将低于20%，NAND闪存的位元成长率将为30%。此前，该公司预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。

位元成长率是衡量内存芯片市场需求的关键指标。较弱的预测可能导致芯片制造商削减诸如设备和材料订单的投资，同时限制供应，进而推高价格。

三星是全球最大的NAND和DRAM生产商，据财报显示，该公司今年第二季度的营收为58.48万亿韩元(约523亿美元)，其中来自半导体业务的营收为21.99万亿韩元(约197亿美元)。

三星去年首次超过英特尔，成为全球第一大芯片厂商。2017年，三星电子的芯片业务营收为690亿美元，力压英特尔的630亿美元。

这一转变凸显出，三星已经从一家廉价电视机制造商转变为智能手机和其他现代计算设备的关键零部件供应商。

英特尔处理器在全球计算机市场的份额高达90%，其状况在去年并不算糟糕，营收同比增长了6%。然而，仅仅在计算机市场成功已经不再足够。如今，智能手机的销量已超越PC，而存储芯片成为了智能手机的关键零部件，但英特尔最近才开始打入这一市场。存储芯片还进入了其他许多新领域，例如自动驾驶汽车等等。

如果三星真的削减DRAM内存的位元成长率，这表明该公司对目前的寡头垄断市场结构感到满意。“它倾向于保持供应紧张和价格高企，而不是冒着价格下跌的风险抢占市场份额，因此DRAM内存价格保持强劲的概率更高。”消息人士说道。

相关阅读：由于需求减少：三星计划减少内存芯片产量增幅

北京时间9月21日上午消息，据彭博社援引知情人士消息称，鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅，以确保供应紧缩。

这家全球最大的NAND以及DRAM芯片制造商预测，DRAM内存的产量位元增长率(bit growth)将低于20%，而NAND闪存的位元增长率将为30%。

位元增长率指的是内存的产量，这对衡量需求至关重要。

三星与SK Hynix、Micron Technology一同控制着DRAM以及NAND闪存芯片市场，今年早些时候三星预测2018年DRAM内存和NAND闪存的位元增长率分别为20%和40%。

三星尚未对此消息置评。

芯片设备制造商KLA-Tencor Corp本月曾警告芯片销量将迎来“旱灾”，这引发了大众对此的忧虑，芯片行业长达两年的超级周期也许将中止。

“很多人都担心周期达到峰值，因而减少供应可以支撑定价。苹果已经减少需求，NAND的供应量过多，且SSD也未能按照预计的速度增加销量。”Elazar Advisors的分析师哈依姆·西格尔(Chaim Siegel)说道。

在第四季度财报公布之前，Rival Micron股价上涨了3%。Western Digital以及 Seagate Technology的股价分别上涨1%和2%。

“这些消息当然会给像Micron以及Western Digital这样的内存公司带来短期利好。”Summit Insights Group分析师Kinngai Chan说道。

“但是，我们还需要关注未来几个季度内DRAM以及NAND的价格下调比例。”