2020氮化镓行业现状及发展前景分析

氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料，属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高，具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定性。

氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用，它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱，这一发展历程融合了多种因素，是其一致发挥作用的结果。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消，最近，其凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和LDMOS的最具成本竞争优势的材料。

根据中研普华研究报告《2018-2023年中国氮化镓(GaN) 行业竞争格局分析及投资风险预测报告》统计分析显示：

一、行业销售规模

据中国半导体行业协会支撑业分会的测算，2016年我国半导体材料市场规模为647亿元，比2015年的591亿元增长9.5%。自2011年以来，我国半导体材料的市场规模及增长率如下图所示。在2016年我国半导体材料市场中，集成电路晶圆制造材料的市场规模为330.28亿元，同比增长4.2%;集成电路封装材料的市场规模为318.0亿元，同比增长16.1%。根据中研普华产业研究院数据显示，2017年半导体材料市场规模达到711.6亿元，同比增长9.83%。

图表：2013-2017年中国半导体材料行业市场规模及增长分析

数据来源：中国半导体行业协会支撑业分会、中研普华产业研究院

二、市场格局分析

2017年我国集成电路晶圆制造材料的产品结构如下图所示。其中，硅片和硅基材料占据集成电路晶圆制造材料总体的比重最大，为36.8%，在2016年以前大部分8英寸硅单晶抛光片和全部12英寸硅单晶抛光片只能依赖进口。近年来，随着上海新晟半导体材料科技有限公司的建立和北京有研硅材料股份有限公司12英寸硅片国产化工程的推进，12英寸晶圆硅片国产化指日可待。同时，随着国内金瑞泓和有研硅等8英寸硅单晶抛光片的升级和扩产，国内8英寸硅片供应紧张状态有所缓解。其次是电子气体，占集成电路晶圆制造材料总体的14%。再次是掩膜版，占13.8%。目前40nm及以下特征尺寸的掩膜版还需在海外加工。

光刻胶和配套试剂合计占集成电路晶圆制造材料总体的11.7%。随着集成电路制程微细化的快速推进，光刻胶及其配套试剂的重要性更加凸现。目前，国产G线和I线光刻胶已有量产，但量产仍须进一步扩大。248nmKrF光刻胶已研制成功，但量产还需进一步突破。193nmArF光刻胶目前仍在研发之中。

湿法工艺化学品、溅射靶材料和CMP抛光材料等目前已部分实现国产化，但仍须进一步扩大品种、增加产量。

图表：2017年中国集成电路晶圆制造材料的产品结构

数据来源：中国半导体行业协会支撑业分会、中研普华产业研究院

2017年我国集成电路封装材料市场的产品结构如下图所示。其中，引线框架占据的比重最大，达25.5%;键合金丝其次，占22.3%。由此可见，主要应用引线框架和键合金丝的传统封装形式，如SOP、SSOP、QFP、QFN等仍占我国集成电路封装业的主要地位。高端先进封装用的封装基板和陶瓷基板，合计仅占封装材料市场总体的28.8%。今后，随着我国集成电路封装业向高端先进封装的推进，封装基板和陶瓷基板的市场比重还会进一步提升。

图表：2017年中国集成电路封装材料的产品结构

数据来源：中国半导体行业协会支撑业分会、中研普华产业研究院

想要了解更多关于氮化镓行业专业分析，请关注中研普华研究报告《2018-2023年中国氮化镓(GaN) 行业竞争格局分析及投资风险预测报告》