2020离子注入供需平衡及市场规模预测

离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性技术。其基本原理是:用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。 此项技术由于其独特而突出的优点，已经在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。

据中研研究院《2020-2025年中国离子注入行业市场发展前景预测与投资战略规划研究报告》

2020离子注入供需平衡及市场规模预测

在电子工业中，离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。

离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速(对Si，电压≥105 V)，获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中;同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。

离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、离子注入深度分布和面均匀性，而且是低温工艺(可防止原来杂质的再扩散等)，同时可实现自对准技术(以减小电容效应)。

在工艺流程中，光刻的下一道工序就是刻蚀或离子注入。在做离子注入时，有光刻胶保护的地方，离子束无法穿透光刻胶;在没有光刻胶的地方离子束才能被注入到衬底中实现掺杂。因此，用于离子注入工艺的光刻胶必须要能有效地阻挡离子束。

在国家863计划的大力支持下，经过十多年的研究和开发，M EVVA源金属离子注入表面技术在硬件(设备)和软件(工艺)两方面均已取得了重要的突破和进展，并已具备了实现产业化的基础。在设备方面，完成了M EVVAIIA-H、MEVVAII-B和MEVVA50型3种不同型号M EVVA源的研制，主要性能达到国际先进水平。仅“九五”期间，就已先后为台湾地区、香港地区和国内大学研究所和工厂生产了15台M EVVA源离子注入机或M EVVA源镀膜设备。

M EVVA源离子注入机的应用，使强流金属离子注入变得更简便、更经济，效率大大提高，十分有利于这项技术的产业化。在表面优化工艺方面，钢制切削工具、模具和精密运动耦合部件3大类、7个品种的M EVVA源离子注入表面处理，取得了延寿3-30倍的显著优化效果，并已通过国家部委级技术鉴定，成果属国际先进水平。在非半导体材料离子注入表面改性研究的初始阶段，主要是沿用半导体离子注入机所产生的氮离子束来进行。这主要是因为氮等气体离子在适用于半导体离子注入的设备上容易获得比较高的离子束流。氮离子注入在金属、硬质合金、陶瓷和高分子聚合物等的表面改性的研究与应用中取得了引人注目的成功。因此这个阶段被称为氮离子注入阶段。

金属离子注入是新一代的材料表面处理高技术。它利用具有很高能量的某种金属元素的离子束打入固体材料所引起的一系列物理的与化学的变化，来改善固体材料的某些表面性能。研究结果表明，金属离子注入在非半导体材料离子注入表面改性研究与应用中效果更加显著，应用范围更加广泛，许多氮离子注入无法实现的，金属离子注入可以很好地实现。但是，基于半导体离子注入需要的传统离子注入机，要想获得比较强束流的金属离子束是比较困难的，进行非半导体材料离子注入表面改性所需的费用也是比较昂贵的。

更多离子注入行业分析请点击中研普华出版的《2020-2025年中国离子注入行业市场发展前景预测与投资战略规划研究报告》。