氮化镓市场规模预测 2020氮化镓(GaN)行业发展现状及市场前景趋势分析

氮化物半导体材料，也称为氮化镓(GaN)基材料，是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第3代半导体材料，包含了GaN、氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)及它们的合金(禁带宽度范围为0.7-6.2eV)，是直接带隙半导体，是制作从紫外到可见光波段半导体激光器的理想材料。半导体激光器具有体积小、效率高、寿命长和响应速度快等优点，在信息科技等领域有广泛的应用，是光电子产业的龙头产品。氮化镓激光器在激光显示、激光照明、水下通信、生物医学等民用及军用领域有广泛应用。

2020氮化镓(GaN)行业发展现状及市场前景趋势分析

氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料，属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等，GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高，具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定性。

氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用，它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱，这一发展历程融合了多种因素，是其一致发挥作用的结果。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消，最近，其凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和LDMOS的最具成本竞争优势的材料。

由于对产业安全和国家信息安全的关注日益升级，我国于2014年6月公布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，将发展集成电路产业上升为国家战略，并对集成电路产业产值以及制造与封测技术的发展提出了具体的要求。同时，通过产业基金、税收优惠、金融支持等措施对我国IC企业的发展提供保障。目前我国砷化镓/氮化镓半导体受制于国际半导体巨头，处于被动局面，将是《纲要》扶持发展的重点。

GaN最初是为支持政府军事和太空项目而开发，但已得到商业市场的完全认可和应用，在无线基础设施领域的应用已超越国防应用，市场占比超过GaN市场总量的一半以上。随着对数据传输及更高工作频率和带宽需求的增长，2016-2022年无线基础设施领域的CAGR将达到16%。在未来的网络设计中，如载波聚合和大规模MIMO等新技术的发展应用，将使GaN比现有横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)更具优势。但与此同时，国防领域仍将是GaN不可忽视的重要应用市场，并保持稳定增长。GaN在国防领域的应用主要包括IED干扰器、军事通讯、雷达、电子对抗等。

氮化镓(GaN)市场规模预测

据中国半导体行业协会支撑业分会的测算，2016年我国半导体材料市场规模为647亿元，比2015年的591亿元增长9.5%。自2011年以来，我国半导体材料的市场规模及增长率如下图所示。在2016年我国半导体材料市场中，集成电路晶圆制造材料的市场规模为330.28亿元，同比增长4.2%;集成电路封装材料的市场规模为318.0亿元，同比增长16.1%。根据中研普华产业研究院数据显示，2017年半导体材料市场规模达到711.6亿元，同比增长9.83%。

2017-2018年，在无线基础设施及国防应用市场需求增长的推动下，GaN市场会进一步放大，但增速会较2015年有所放缓。2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动氮化镓市场增长。预计到未来10年，氮化镓市场将有望超过30亿美元。

根据中研普华研究院《2018-2023年中国氮化镓(GaN) 行业竞争格局分析及投资风险预测报告》显示：

2015-2017年半导体材料产业发展全面解析

第二节 2015-2017年中国半导体材料行业运行状况

一、行业销售规模

据中国半导体行业协会支撑业分会的测算，2016年我国半导体材料市场规模为647亿元，比2015年的591亿元增长9.5%。自2011年以来，我国半导体材料的市场规模及增长率如下图所示。在2016年我国半导体材料市场中，集成电路晶圆制造材料的市场规模为330.28亿元，同比增长4.2%;集成电路封装材料的市场规模为318.0亿元，同比增长16.1%。根据中研普华产业研究院数据显示，2017年半导体材料市场规模达到711.6亿元，同比增长9.83%。

图表：2013-2017年中国半导体材料行业市场规模及增长分析

数据来源：中国半导体行业协会支撑业分会、中研普华产业研究院

二、市场格局分析

2017年我国集成电路晶圆制造材料的产品结构如下图所示。其中，硅片和硅基材料占据集成电路晶圆制造材料总体的比重最大，为36.8%，在2016年以前大部分8英寸硅单晶抛光片和全部12英寸硅单晶抛光片只能依赖进口。近年来，随着上海新晟半导体材料科技有限公司的建立和北京有研硅材料股份有限公司12英寸硅片国产化工程的推进，12英寸晶圆硅片国产化指日可待。同时，随着国内金瑞泓和有研硅等8英寸硅单晶抛光片的升级和扩产，国内8英寸硅片供应紧张状态有所缓解。其次是电子气体，占集成电路晶圆制造材料总体的14%。再次是掩膜版，占13.8%。目前40nm及以下特征尺寸的掩膜版还需在海外加工。

光刻胶和配套试剂合计占集成电路晶圆制造材料总体的11.7%。随着集成电路制程微细化的快速推进，光刻胶及其配套试剂的重要性更加凸现。目前，国产G线和I线光刻胶已有量产，但量产仍须进一步扩大。248nmKrF光刻胶已研制成功，但量产还需进一步突破。193nmArF光刻胶目前仍在研发之中。

湿法工艺化学品、溅射靶材料和CMP抛光材料等目前已部分实现国产化，但仍须进一步扩大品种、增加产量。

图表：2017年中国集成电路晶圆制造材料的产品结构

数据来源：中国半导体行业协会支撑业分会、中研普华产业研究院

2017年我国集成电路封装材料市场的产品结构如下图所示。其中，引线框架占据的比重最大，达25.5%;键合金丝其次，占22.3%。由此可见，主要应用引线框架和键合金丝的传统封装形式，如SOP、SSOP、QFP、QFN等仍占我国集成电路封装业的主要地位。高端先进封装用的封装基板和陶瓷基板，合计仅占封装材料市场总体的28.8%。今后，随着我国集成电路封装业向高端先进封装的推进，封装基板和陶瓷基板的市场比重还会进一步提升。

图表：2017年中国集成电路封装材料的产品结构

数据来源：中国半导体行业协会支撑业分会、中研普华产业研究院

中研普华研究院氮化镓行业报告依据全国及海外多种相关报纸杂志的基础信息等公布和提供的大量资料和数据，客观、多角度地对市场进行了分析研究。报告在总结中国氮化镓行业发展历程的基础上，结合新时期的各方面因素，对行业的发展趋势给予了细致和审慎的预测论证。未来氮化镓行业将如何发展?请关注中研普华研究院报告《2018-2023年中国氮化镓(GaN) 行业竞争格局分析及投资风险预测报告》