中国在全球功率半导体占据40%市场份额!

功率分立器件从最初的二极管到高端 IGBT、MOS 类器件，根据耐压、工作频率不同，各自适用于不同领域。其中 MOS 类器件占据着整个功率半导体市场单类产品的最大份额，约为25%; IGBT 是目前最热门且最具潜力的功率半导体器件， 2015 年 IGBT 分立器件约占 10%的市场份额，相关模组产品约占 30%;晶闸管是目前耐压容量最高(12kV)与电流容量最大(10kA)的功率器件。

2015年全球功率半导体市场规模为123亿美元，2016年全球功率半导体市场重新回稳，销售金额比2015年成长1%，达124亿美元。2017年全球功率半导体市场规模为150亿美元。值得注意的是，在各类功率半导体元件中，未来成长力道最强劲的产品将是高压MOSFET(超过200V)与IGBT模组，两类产品在2015～2020年期间的复合年成长率 (CAGR)预估分别为4.7%与4.0%。

功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分，更是发电、输电、变配电、用电、储能、家用电器、IT产品、网络通讯等领域的基础核心部件，随着物联网、云计算、新能源、节能环保等电子信息产业新领域的发展，中高阶的功率半导体器件也将迎来新一轮的发展高峰。

中国占据全球功率器件 40%市场份额，多领域应用持续支撑需求上涨整体来看，近年来由于工业控制、家电产品、充电设备等终端应用不断追求更高能源效率，功率器件下游产品范围的稳步扩张、产量的大幅增长以及功率器件技术的快速更新，功率器件市场在全球范围尤其是中国地区都保持稳步增长。 近五年来，中国功率半导体器件市场复合增长率达 27.8%，是半导体产品中市场发展相对较快的产品。我国市场的增长速度高于全球水平，2017年我国功率半导体市场规模达到60亿美元，同比增长21%。

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