
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展,已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链,IGBT国产化的进程加快,有望摆脱进口依赖。

2018年初,中车时代电气公司研制的4500V/3000A压接式IGBT顺利通过评审,标志着国产大容量压接式IGBT从技术验证转入工程应用阶段。
IGBT器件应用范围愈发广泛,涉及领域几乎涵盖社会的各个方面。中国IGBT器件市场需求增长空间巨大。2017年中国IGBT市场规模为123.65亿元。预计2023年行业整体市场规模将达到超过330亿元。
IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的开发和运用。
国内IGBT在设备、材料、芯片设计和晶圆制造上与国际大厂仍有一定的差距,国产IGBT芯片的主要工艺设备、衬底片都还要从国外采购,特别是在大功率模块封装方面,在产品的功率密度、散热性能、长期可靠性以及模块设计创新方面,技术差距仍然较大。不过,在后道封测环节,因国内封测厂有给国际大厂代工的经验,后道技术差距正逐渐缩小。受国家集成电路产业扶持政策拉动,预计2023年,行业规模或将达到4346亿元。
想要了解更多关于IGBT行业专业分析请关注中研普华研究报告《2018-2023年中国IGBT行业市场深度调研及投资风险预测报告》
IGBT行业竞争形势严峻,如何合理布局才能立于不败?
专家在线答疑
河南:12月起拖欠劳动者8000元工资超三个月者 将被列入欠薪“黑名单”
多省份出台独生子女护理假 有地方能休20天!“常回家看看”纳入子女义务