预计2025年中国IGBT市场将达到601亿元
随着各个下游的快速发展,预计2025年中国IGBT市场空间将达到601亿元,CAGR高达30 %。其中,增速最快的细分市场是新能源汽车IGBT,预计2025年我国新能源汽车的IGBT需求将达到387亿元,CAGR高达69%。
从市场格局上来看,外资IGBT厂商业务起步较早,先发优势明显,因此形成了当前IGBT市场被德国、日本和美国企业垄断的格局。目前全球IGBT前五大玩家为英飞凌、三菱、富士电机、安森美和赛米控,其中英飞凌在各个细分市场中都有较大的领先优势。与此同时,本土IGBT企业也在快速进步,技术上逐渐实现对国外领先企业的追赶,且在客户服务方面更具优势,能快速响应下游客户的需求,并且产品价格上相比于外资也有一定优势,有利于下游客户的降本。在目前IGBT下游快速发展,行业供需持续紧张的阶段,国产替代将迎来机会,优秀的本土IGBT企业有望在这一轮的行业快速发展中脱颖而出。
碳化硅作为第三代半导体材料的代表具有优异的性能,基于其制成的功率器件相比于传统的硅基器件具有耐高压、耐高温、工作频率高、能量损耗低等优势。在车载领域,目前各大主机厂为了提高补能速度纷纷布局800V高压平台,高压平台的到来将推动碳化硅器件在车载领域的应用,尤其是主驱逆变器中采用碳化硅模块是电驱系统升级的核心。未来随着碳化硅器件的持续降本,与硅基器件的价差将逐渐缩小,其在新能源汽车电驱系统中的渗透率将持续提升。
目前IGBT市场被国外企业垄断,国内产品供需严重不平衡。相关规划提出大力推进先进半导体等新兴前沿领域创新和产业化,国内企业积极投入研发提速追赶。
国内企业近年来通过积极投入研发,紧抓国产替代机遇,成功在国内新能源汽车用IGBT模块市场中占取到了一定份额,实现0到1的突破;随着国产替代加速推进,包含时代电气、士兰微、斯达半导、宏微科技、新洁能、华润微等国内厂商将迎来1到N放量的黄金期。
IGBT产业作为信息产业、新能源汽车产业的基础之一,是国民经济和社会发展的战略性产业,国家给予了高度重视和大力支持,为推动我国包括车规级IGBT在内的半导体产业的发展,增强信息产业创新能力和国际竞争力,国家出台了一系列鼓励扶持政策,为车规级IGBT产业建立了优良的政策环境,促进产业的快速发展。
根据《新能源汽车产业发展规划(2021-2035年)》,新能源已成为世界汽车产业转型的新方向,近年来,我国新能源汽车实现了从0到1的突破,未来将加速发展,而电动、网络化、智能化也成为汽车工业的发展趋势。
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