生成式AI推高存储芯片需求 HBM" 救场 " 存储芯片巨头财报

HBM" 救场 " 存储芯片巨头财报，三星电子存储业务所在 DS 部门二季度亏损收窄，SK 海力士二季度销售额超出分析师预期，公司表示，生成式AI 市场的扩张已迅速推高了对 AI 服务器内存的需求，因此，HBM3 和 DDR5 等高端产品的销量增加。

美光科技此前曾表示，AI 服务器对 DRAM 和 NAND 的容量需求分别是常规服务器的 8 倍和 3 倍。存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的是 DRAM，非易失性存储芯片常见的是 NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片。

存储芯片往往被作为半导体产业的风向标，呈现出较强的周期性，行业景气度受供需关系影响较大，在景气度高涨时，各厂商扩大产能以增加收入，易导致供应过剩，而在景气度下降时则收缩产能、降价清理库存，最终导致市场供不应求。

我国停止采购美光公司在华销售产品

日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。5月21日晚消息，美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查。审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。

美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品 分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。

审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

3月31日，网络安全审查办公室曾发布公告称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

公开资料显示，美光科技公司是一家全球领先的高级半导体解决方案供应商，是美国最大的电脑存储芯片生产商，也是全球仅余的三大存储芯片生产巨头之一。主要业务是生产多种形式的半导体器件，包括动态随机存取存储器、闪存和固态驱动器;主要产品包括DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块。

根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

中国内地市场曾是美光科技最大的市场之一，2018年美光在中国内地的营收达到173.57亿美元(约合人民币1182亿元)，占到该公司当年总收入的58%。此后，其在中国内地的营收规模、占比逐年下降，美光科技2022财年在中国内地市场的收入为228亿元人民币，占比为10.8%。

华为是美光最大的客户之一，美光大约13%的年收入是来自对华为的销售。

当地时间3月28日，美光科技发布了最新季度财报，其中显示，由于半导体市场对3D NAND(闪存)、DRAM(动态随机存取内存)需求锐减，美光科技2023财年第二季度(截至2023年3月2日)的收入为36.93亿美元，相比去年同期大幅下降52.6%，净亏损高达23.12亿美元(约合人民币160亿元)，为史上最惨的一份财报。

根据中研普华研究院《2023-2028年中国存储器行业发展分析与投资前景预测报告》显示：

半导体需求及价格持续滑落，造成南韩半导体大厂满手库存，据外媒报导，三星电子、SK海力士和东部高科，截至2023年第一季度末，半导体库存总额已接近50兆韩元，创下有统计以来最高库存金额历史纪录。

产业市况低迷，对三星电子和SK海力士两大厂商影响明显，三星电子存储业务的营收，连续三个季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的营收也是连续三个季度季比及年比皆大幅下滑，去年四季度和今年一季度更出现了亏损。

根据芯片资深从业人员透露，三星电子已经通知了它的分销商，将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。

三星作为内存龙头企业，它的DRAM价格如果可以停止下跌，那其它厂商大概率会效仿，比方说：中国龙头企业的颗粒报价已经从上周开始抬升。当龙头企业的价格已停止下跌时，或许还会有更多的厂商会效仿，那么现货价格或许很快就能起稳，那涨价也是大概率事件。

存储芯片根据其性质可划分为不同的类型。按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内，存储芯片可分为：掉电易失和掉电非易失两种。

易失存储芯片主要包含：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。像这次三星价格反弹的芯片，也就是这个动态随机存储器(DRAM)。

非易失性存储器主要包括：可编程只读存储器 (PROM)，闪存存储器(Flash)和可擦除可编程只读寄存器(EPROM/EEPROM)等。

在这么多种类种，目前主要由：DRAM 和 NAND Flash ，这两种占据主要存储芯片市场。

据 TrendForce 数据，22Q4 全球 DRAM 市场规模为121.55 亿美元，主要被：三星、SK 海力士等三家巨头垄断，三家市场份额合计高达 95.8%。

存储器价格已跌破历史最低位置

价格端，存储器价格已跌破历史最低位置(当前DRAM价格距离最高点下跌超60%，部分料号现货价与合约价已经出现倒挂)，价格潜在下跌空间较小。供给端，原厂库存开始减少，模组厂商库存逐渐见底，主动去库存效果明显。需求端，服务器新世代CPU的推出和AI需求增加，将提升DDR5、HBM等高性能产品及高密度模组的需求。该行认为存储价格有望逐渐接近下行周期底部，并看好2023年二三季度存储板块迎来止跌。

根据IC Insights的数据，2021年DRAM在整个存储市场的市场份额约为56%，Flash闪存的市场份额约为43%，其中NAND闪存为41%，NOR闪存为2%，其他存储芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM)将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。

2024年NAND市场规模有望达684亿美元，随着NAND原厂陆续缩减资本开支，NAND产能正在逐渐收敛，库存去化正在进行。该行看好原厂和渠道的库存水位或在23年Q2或Q3见顶，NAND价格出现弹性，2024年NAND市场有望实现复苏。目前NAND行业形成了三星、海力士、Solidigm、美光、铠侠、WDC六家公司同台竞争的格局，2022Q3的CR3达65%，CR6接近95%，随着WDC与铠侠的合并谈判急速，该行预计未来行业集中度将进一步提高。美光、三星和海力士都有望在23年将产能转进200层以上，Solidigm以及铠侠/WDC将落后一世代的制程。3D NAND解决了2D结构下“闪存缩放限制”的问题，大容量、高堆叠层数的3D NAND 将是行业未来发展趋势。

2023年全球DRAM市场规模有望达596亿，DRAM厂商产能增加幅度收敛，DRAM厂商扩产计划有所延后。数十年的大浪淘沙后，2022Q3 DRAM市场CR3超过95%，三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。DRAM可分为主流DRAM和利基型DRAM ，随着国外大厂逐渐推出利基市场(三星21Q4停产DDR2，预计23年停产DDR3;海力士也计划停产DDR3)，国内厂商将迎来份额提升的机会。EUV和3D DRAM或成未来趋势，从三大厂商的工艺制程上看，美光在制程上领先，三星在EUV的使用上领先。

2028年NOR Flash市场规模有望达61亿美元，21-28年CAGR达14.4%，NOR Flash十年低迷期已过，新应用的普及打开向上成长曲线。NOR Flash凭借接口简单、轻薄、低功耗、系统总体成本更低、读取速度快等特点成为5G、TWS蓝牙耳机、AMOLED、IOT以及自动驾驶汽车等新应用的首选，NOR Flash和NAND Flash性能和定位不同，二者可互补而不可替代。NOR Flash市场经历数次洗牌，海外厂商逐渐撤退，中国台湾和中国大陆厂商趁势而起，2021年NOR Flash市场份额主要被华邦、旺宏和兆易创新所占据，市占率分别为35%、33%和23%。

该行测算得2026年HBM市场规模有望达56.9亿，2022-2026年CAGR有望达52%。“3D堆叠+近存储运算”突破内存容量与带宽瓶颈，HBM成为处理大量数据和复杂处理要求的理想解决方案。根据TrendForce的数据，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士约50%、三星约40%、美光约10%，随着海力士在HBM3产品上的持续领先，预计海力士市占率将继续走高。

《2023-2028年中国存储器行业发展分析与投资前景预测报告》由中研普华研究院撰写，本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析，重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力，以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态，对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。