二十一世纪以来,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。第三代半导体材料可以实现更好的电子浓度和运动控制,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前,市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。
据中研产业研究院报告《2020-2025年中国第三代半导体行业发展现状分析与投资前景预测研究报告》分析
经过近10年的发展,我国基本建立了以 SiC 和 GaN 为代表的第三代半导体材料、工艺和装备产业体系。该类材料紧密围绕光电子、新能源、 5G等热点应用,在未来5年内将迎来产业化发展的重要机遇。
尽管全国已布局第三代半导体项目众多,但由于产线建设调试周期较长、项目烂尾等问题,真正量产的并不多;加之下游应用市场增长,国内现有产品商业化供给是无法满足市场需求,尤其是SiC电力电子器件和GaN射频器件存在较大缺口,且国内企业产品成本、性能等方面竞争力不足,因此,我国第三代半导体各环节国产化率较低,有数据显示,目前超过八成的产品依赖进口。
近年来,在国家及地方政府层面,多次出台行业扶持政策,重点发展第三代半导体产业,解决半导体行业“卡脖子”问题。在火热的市场环境下,各地政府也积极参与到三代半导体项目的投资建设当中。
因三代半导体投资规模相对较低,产业链上游的材料及生产环节不再集中于一二线城市,而是全国遍地开花。数据显示,2018-2020年,我国仅SiC项目政府投资达到32个,计划投资金额超过700亿。
先进半导体材料是全球半导体产业发展新的战略高地。目前正在快速发展的第三代半导体材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)、氮化铝(AlN)、金刚石(C)等,主要面向新一代电力电子、微波射频和光电子应用,在新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子、新一代显示等领域有广阔的应用前景,成为全球半导体产业发展新的战略高地。
在5G信息技术时代,第三代半导体迎来新发展机遇,新基建的实施助推第三代半导体产业发展进入黄金窗口期,呈现一派发展好势头,有望逐步实现自主可控、安全可靠的第三代半导体产业体系,与第一代、第二代半导体优势互补、协同支撑新一代信息技术创新发展,支撑中国新时期社会经济的高质量发展。
想要了解更多第三代半导体行业的发展前景,请查阅《2020-2025年中国第三代半导体行业发展现状分析与投资前景预测研究报告》。
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