2023射频芯片行业现状与市场发展前景趋势分析

2023射频芯片行业现状与市场发展前景趋势分析

射频芯片行业现状，射频芯片行业前景如何?目前，具备射频芯片设计的公司有紫光展锐、唯捷创芯、中普微、中兴通讯、雷柏科技、华虹设计、江苏钜芯、爱斯泰克等。射频芯片代工方面，台湾已经成为全球最大的化合物半导体芯片代工厂，台湾主要的代工厂有稳懋、宏捷科和寰宇，国内仅有三安光电和海威华芯开始涉足化合物半导体代工。三安光电是国内目前国内布局最为完善，具有GaAs HBT/pHEMT和GaNSBD/FET工艺布局，目前在于国内200多家企事业单位进行合作，有10多种芯片通过性能验证，即将量产。海威华芯为海特高新控股的子公司，与中国电科29所合资，目前具有GaAs0.25umPHEMT工艺制程能力。射频芯片封装方面，5G射频芯片一方面频率升高导致电路中连接线的对电路性能影响更大，封装时需要减小信号连接线的长度;另一方面需要把功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成为一个模块，一方面减小体积另一方面方便下游终端厂商使用。为了减小射频参数的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封装技术。

上一轮射频前端市场始于4G时代，全网通的需求大大增加了覆盖的频段数量，常用频段数量从3G时代的10个左右增加到4G时代的40个左右，极大地推动了射频前端的发展。受益于5G网络的商业化建设，自2020年起全球射频前端芯片市场将迎来快速增长，2021年进一步增长至235.6亿美元。

射频芯片指的就是将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形，并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件，它包括功率放大器、低噪声放大器和天线开关。射频芯片架构包括接收通道和发射通道两大部分。

在射频芯片领域，市场主要被海外巨头所垄断，海外的主要公司有Qorvo，skyworks和Broadcom;国内射频芯片方面，没有公司能够独立支撑IDM的运营模式，主要为Fabless设计类公司;国内企业通过设计、代工、封装环节的协同，形成了“软IDM”的运营模式。射频芯片设计方面，国内公司在5G芯片已经有所成绩，具有一定的出货能力。射频芯片设计具有较高的门槛，具备射频开发经验后，可以加速后续高级品类射频芯片的开发。

据中研普华产业研究院出版的《2023-2028年中国射频芯片行业市场深度调研与竞争预测报告》统计分析显示：

第三章 全球及中国射频芯片行业发展现状分析

第一节 全球及中国射频芯片行业发展特点分析

一、行业市场集中度高

在整个射频前端芯片/模组的产业链中，中国在其中的参与程度目前仍然很低。目前全球前五大射频厂商分别是：Murata(IDM)，Skyworks(IDM)，Qorvo(IDM)，Broadcom/Avago(Fabless，除滤波器外)，Qualcomm/TDK Epcos(Fabless);主流的射频芯片代工厂包括稳懋(中国台湾)，global foundry，towerjazz等。与此同时，随着射频前端器件的数量和复杂度大幅增加，射频前端模组化已经成为产业趋势。

二、射频器件模组化趋势明显

4G到5G，射频也向模组化、高集成化发展。4G向5G切换，智能手机支持的频段数跨越式增长，从而带来对射频器件更多的需求。同时支持4G/5G的模组技术难度和价值量都最高。无论是发射端还是接收端，同时支持4G/5G的模组技术难度和复杂度高于单纯5G射频前端模组，因此价值量也更高。

从发射端来看，覆盖1.5GHz~3.0GHz频段范围的射频前端模组价值量最高且综合难度最大。主要是因为这一频段融合了有源器件与无源器件性能对于频率的要求，最早的4个FDDLTE频段、4个TDDLTE频段、TDS-CDMA的全部商用频段、最早商用的载波聚合方案，以及GPS、Wi-Fi2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窝网通信全都在这一频段范围工作。由于这一频段范围商用时间长，且工作在这一频段的通信多，其特点是拥挤且干扰多，因此需要高性能的BAW滤波器，这也是M/H(L)PAMiD产品的核心技术难点。博通、Qorvo、RF360等外资厂商占据高端产品市场，从Qorvo的芯片分析图可以看出，其产品复杂度非常高。

从接收端来看，高复杂度高级程度的接收模组，产品尺寸可以做到非常小，能够在5G应用上极大压缩Rx部分占用的PCB面积，进而提升5G产品的整体性能。高集成度的产品通常需要用到WLP形式的先进封装。

三、国内企业多聚焦分立器件市场

相较于国外，我国半导体分立器件行业起步较晚，主要通过国外引进及国内企业的自主创新逐步发展。我国半导体产业与国际发达国家或地区相比存在一定的差距，尤其体现在高端产品领域，由于国外企业控制着核心技术、关键元器件、关键设备等资源，高端产品仍旧主要依赖海外进口。中国作为全球最大的半导体行业新兴市场，国际厂商十分重视中国市场带来的发展机遇，不断增加研发、技术、资本和人员投入，进行营销网络和市场布局，目前国际领先企业仍占据中国分立器件市场的优势地位。

凭借多年的市场发展经验，我国半导体分立器件产业已形成了一定规模，国内领先企业通过持续加强自主创新和技术升级，在销售规模、技术水平、生产工艺以及产品品质等方面均有了较大程度的提升，并且在不同细分应用领域逐步取得了一定的市场竞争优势。同时，由于中国是全球功率半导体最大的销售市场，国内厂商与下游客户的距离更近、与本土客户的沟通交流更为顺畅，相比国外厂商在服务响应客户需求、降低产品成本等方面具有明显的竞争优势，功率半导体器件国产品牌替代率逐步提升是未来大势所趋。

面对广阔的市场前景，叠加国家产业政策的鼓励以及行业技术水平的不断提升，国内企业在技术工艺和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。在国际贸易争端不确定条件下，包括分立器件在内的半导体产业进口替代需求愈发明显，对于扬杰科技等国内领先的分立器件企业而言，将形成显著的竞争优势和市场份额提升空间。

四、部分产品国产替代进行时

全球射频前端芯片市场主要被欧美厂商占据，中国生产厂商目前主要在射频开关和低噪声放大器等产品上实现技术突破，并逐步实现进口替代。射频前端芯片行业因产品广泛应用于移动智能终端，行业战略地位逐步提升，中国射频前端芯片行业迎来巨大发展机会，在全球市场的占有率有望大幅提升。

第二节 全球及中国射频芯片行业市场规模分析

一、全球射频芯片行业市场规模现状

上一轮射频前端市场始于4G时代，全网通的需求大大增加了覆盖的频段数量，常用频段数量从3G时代的10个左右增加到4G时代的40个左右，极大地推动了射频前端的发展。受益于5G网络的商业化建设，自2020年起全球射频前端芯片市场将迎来快速增长，2021年进一步增长至235.6亿美元。

图表：2019-2021年全球射频前端行业市场规模(单位：亿美元)

数据来源：QYR Electronics Research Center

二、中国射频芯片行业市场规模现状

2020年，中国正式进入5G商用时代，在相关新兴领域蓬勃发展以及国家政策大力扶持的双重驱动下，2021年中国射频前端芯片市场规模达到807.8亿元。

图表：2019-2021年中国射频前端芯片行业市场规模(单位：亿元)

数据来源：中研普华产业研究院

第三节 全球及中国射频芯片行业竞争格局分析

一、全球总体企业格局

图表：全球射频前端市场竞争格局(单位：%)

数据来源：中研普华产业研究院

目前全球射频前端市场集中度较高，前四企业占整体市场的85%，且四家企业直接市场份额相差较小，整体市场竞争激烈。其中占比最多的是Skyworks，市场份额达24%;其次为Qorvo，占比21%;Broadcom及Murata占比均为20%。

随着射频芯片行业竞争的不断加剧，大型企业间并购整合与资本运作日趋频繁，国内外优秀的射频芯片企业愈来愈重视对行业市场的分析研究，特别是对当前市场环境和客户需求趋势变化的深入研究，以期提前占领市场，取得先发优势。正因为如此，一大批优秀品牌迅速崛起，逐渐成为行业中的翘楚。中研普华利用多种独创的信息处理技术，对射频芯片行业市场海量的数据进行采集、整理、加工、分析、传递，为客户提供一揽子信息解决方案和咨询服务，最大限度地降低客户投资风险与经营成本，把握投资机遇，提高企业竞争力。

本报告利用中研普华长期对射频芯片行业市场跟踪搜集的一手市场数据，同时依据国家统计局、国家商务部、国家发改委、国务院发展研究中心、行业协会、中国行业研究网、全国及海外专业研究机构提供的大量权威资料，采用与国际同步的科学分析模型，全面而准确地为您从行业的整体高度来架构分析体系。让您全面、准确地把握整个射频芯片行业的市场走向和发展趋势。

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