2023第三代半导体行业前景及现状分析报告

未来第三代半导体行业市场前景在哪?第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性。第三代半导体材料可以实现更好的电子浓度和运动控制 ，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。

2023第三代半导体行业前景及现状分析报告

第三代半导体行业加速发展，新能源产业链为增长驱动核心竞争力。尽管第三代半导体发现时间很早，但受制于成本和产业链不成熟等因素并未实现大规模商业化落地，2019年，以GaN-on-SiC等射频器件的推广，对设备开发，衬底和外延技术的推动形成了正向反馈。同时Wolfspeed已完成8英寸SiC衬底片的流片，6英寸产业链大规模商业化落地已逐步成型。

我国发展第三代半导体也被写入 " 十四五 " 规划。规划要求，要加强原创性引领性科技攻关。其中，在集成电路层面，包括集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管 ( IGBT ) 、微机电系统 ( MEMS ) 等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。

全球范围内，美国、欧洲、日本、中国在第三代半导体发展上处于“四足鼎立”状态。当前，国内第三代半导体产业发展得如火如荼，在现代工业、通信等领域都有巨大的应用前景。苏州、长沙、合肥、南昌等地都在布局半导体产业园，希望提高在全球的竞争力。

同时SiC功率器件广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通等领域，未来市场增速能够得到保证。同时国内市场也有多家企业布局SiC产业，未来市场竞争格局将持续深化。

预计27年市场空间将超过60亿美元。仅碳化硅器件中的功率器件的市场规模将从2021年的10.90亿美金增长至2027年的62.97亿美金，复合年增长率约34%。

第三代半导体材料是指带隙宽度达到2.0-6.0eV的宽禁带半导体材料，包括了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，是制造高压大功率电力电子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在热导率、开关频率、电子迁移率和击穿场强均具备优势，因此SiC材料具备更高效率和功率密度。从产业链来看，衬底是价值链核心，在成本SICSBD器件中，衬底价值量占比达到47%。

从第三代半导体细分行业来看，新能源产业链和充电基础设施将为增长最快领域。SiC器件主要应用在车载充电器、DC/DC转换器和主驱逆变器上。在2017年之前车载充电器主要以SiCSBD为主，而在2017年后SiCSBD和SiCMOSFET的方案已经成熟。DC/DC转换器也由SiMOSFET逐渐变成以SiCMOSFET为主。

近年来，以碳化硅、氮化镓为主的第三代半导体材料需求爆发，成为资本市场追逐的对象。如今，以氧化镓为代表的第四代半导体材料的闪亮登场，有望成为半导体赛道的新风口，相关A股公司也已抢先布局。

SiC功率器件主要应用于主驱逆变器、OBC、DC/DC车载电源转换器和大功率DC/DC充电器领域。随着未来800V电压平台推出，在大功率，大电流条件下减少损耗、增大效率和减小器件尺寸，电机控制器的主驱逆变器将不可避免从硅基IGBT替换为SiC基MOS模块，存量替代市场空间巨大。特斯拉(Tesla)在2018年，将Model3车型的主驱动逆变器中已经使用了SiCMOSFET，将SiIGBT替换为。

SiC器件后，新能源汽车逆变器效率可以大幅提升，相同续航下对电池容量需求降低，以及实现系统冷却体积和重量的优化，有效降低SiC器件本身带来的成本增加。SiC功率器件主要应用于主驱逆变器、OBC、DC/DC车载电源转换器和大功率DC/DC充电器领域。随着未来800V电压平台推出，在大功率，大电流条件下减少损耗、增大效率和减小器件尺寸，电机控制器的主驱逆变器将不可避免从硅基IGBT替换为SiC基MOS模块，存量替代市场空间巨大。

碳化硅功率元件下游市场中以汽车为最大应用，另外可再生能源、工业市场亦相当重要，预计今年碳化硅功率元件市场规模将达到15.9亿美元，至2026年可攀升至53.0亿美元。第三代半导体下游市场则以消费电子为主，数据中心与通讯以及后续的汽车应用同样颇具潜力，预计今年氮化镓功率元件市场规模有望达到2.6亿美元，至2026年可成长至17.7亿美元。

中国SiC、GaN电力电子器件主要应用于新能源汽车、消费类电源和工商业电源应用。在消费电子方面，GaN快充电源作为新应用带来较大的市场，小米、OPPO、华为等手机厂商相继推出GaN快充。在新能源汽车方面，比亚迪、吉利、一汽集团、江淮汽车、长城汽车等车企都在新能源汽车中采用SiC。SiC电力电子器件正加速进军轨道交通领域。GaN射频器件主要应用在军工雷达和5G基站，华为、诺基亚、中兴的多数5G基站已采用GaN的PA器件。

我国第三代半导体整体产值超7100亿元，2023年第三代半导体材料渗透率有望接近5%。2023年第一季度，中国半导体市场销售额在下降8%的情况下，依旧是最大的半导体市场，占全球半导体市场的29%。中国市场的恢复，必然会带动全球半导体产业链的回温。

中研研究院出版的第三代半导体行业发展现状

一、中国第三代半导体行业市场规模

二、中国第三代半导体行业发展分析

三、中国第三代半导体企业发展分析

第三代半导体行业报告还对全球的行业发展态势作了详细分析，并对行业进行了趋向研判，是经营企业，服务、投资机构等单位准确了解目前行业发展动态，把握第三代半导体行业企业定位和发展方向不可多得的精品，对中国及各子行业的发展状况、上下游行业发展状况、竞争替代产品、第三代半导体行业发展趋势、新产品与技术等进行了分析，并重点分析了中国行业发展状况和特点，以及中国第三代半导体行业将面临的挑战、企业的发展策略等。

第三代半导体市场调研如何?中研研究院对该行业作了详尽深入的分析，是企业进行市场研究工作时不可或缺的重要参考资料，同时也可作为相关机构进行潜力分析、发展分析、投资分析等研究工作时的参考依据。更多行业具体详情可以点击查看中研普华产业研究院的报告《2020-2025年中国第三代半导体行业发展现状分析与投资前景预测研究报告》。