近一两年的NOR Flash市场得到了飞速增长。该增速主要得益于汽车电子和物联网、5G和智能手机及其周边(如TWS耳机和可穿戴式设备)等需求的推动。小到汽车摄像头大到高级驾驶辅助系统(ADAS)都对NOR Flash有大量需求。到2021年仅在ADAS领域NOR Flash的市场空间就将达到6.7亿美元。
根据中研普华产业研究院发布的《车载领域FLASH应用调研报告》显示:
一、车载领域FLASH应用企业竞争格局
存储芯片是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。国外厂商凭借先发优势以及在终端市场的品牌优势,占据了大部分的市场份额。
NANDFlash的市场由三星、西数、铠侠等6家企业垄断。目前NANDFlash的发展方向是3D堆叠,国外先进企业均已纷纷开发出100层以上堆叠的NANDFlash。国产厂商长江存储已宣布128层产品研发成功,与国外先进企业的差距越来越小,已成为存储国产自主化的中坚力量。国内还有SLCNAND的设计企业,包括北京君正、兆易创新等。
三星电子、铠侠、海力士、美光科技等专注于大容量的NANDFlash,目前SLCNAND其他供应商主要为中国台湾和大陆厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新等企业,其中华邦电子和旺宏电子占据了较高的市场份额,随着国产化需求的不断提高,国内企业将迎来良好的发展契机。
SLCNAND的技术发展趋势主要为提升产品制程以及提高产品的性能。在制程节点方面,SLCNAND领域成熟的工艺水平已经达到1xnm,采用此工艺水平的产品已经大量出货,未来产品将进一步微缩制程。
在产品性能方面,SLCNAND最重要的性能指标是可靠性、功耗、数据传输速度等。目前SLCNAND擦写次数达到10万次,数据保存时间达到10年;在功耗方面待机电流达到10μA;在传输速度方面,当前SLCNAND芯片的数据传输速率约为104MHz。未来SLCNAND芯片主要在降低成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。
2022年,176层3D NAND或将成为市场竞争的主旋律。当前各大原厂的主力工艺在96层和128层,176层的产能占比约为5%,2022年,这个比重预计将进一步提升,预计到2022年底176层NAND的产出比重将超过25%。由于NAND Flash堆叠层数的技术推进,未来供应商仍将持续追求推进更高层数,以降低每GB的生产成本。因此,预期该产业的资本支出仍有增长空间,供应商同时开始研发2XX层产品技术。
近两年来,三星和铠侠在NAND Flash市场上的投资热度不减,2020年三星位于中国西安二期1阶段开始投产,新建的二期第二阶段项目也在2021年下半年竣工,而平泽P2工厂投资8兆韩元新建NAND Flash产线也在2021下半年开始量产, 2021年三星产能增加明显。
铠侠与西部数据Fab6工厂在2021年持续提高NAND Flash Wafer产量,位于岩手县北上市的新工厂K1已在2020年开始少量投产, 2021年Wafer产量有明显增加。此外,铠侠四日市存储器生产基地北侧正在新建Fab7工厂,第一阶段建设计划于2022年春季完成,还将在现有的K1工厂旁扩产K2厂区,计划2022年春季完成,未来3年内,铠侠与西部数据NAND Flash Wafer产能将呈持续增长之势。
长江存储国家存储器项目总投资240亿美元,分两期建设3DNAND闪存晶圆厂。一期主要实现技术突破,并建成10万片月产能。二期项目追加产能20万片,建成后长江存储总产能将达30万片,预计到2023年,长江存储在全球3DNANDFlash产能中的占比将提高到10.8%,根据规划2030 年长江存储计划实现100万片月产能,进一步提升自身全球市占率。

关注公众号
免费获取更多报告节选
免费咨询行业专家