日本文部科学省日前基本决定,为开发有望大幅节电等的新一代半导体,加强相关研究及人才培养力度。正就在下年度预算概算要求中列入9亿日元(约合人民币5310万元)展开协调。计划把承担新存储器、中央处理器(CPU)等设计到制造的一条龙研究团队作为“据点”,重点编制预算。
日本在第三代的新半导体材料方面已经走到了世界前列,日企Novel Crystal Technology全球首次量产了100mm(4英寸)的“氧化镓”晶圆,并且将于今年就可以提供量产出来的晶圆产品。氧化镓的别名是三氧化二镓,氧化镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,也是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。氧化镓功率元件的市场规模,比当前最为火爆的氮化镓功率元件的规模其实还要大,也被认为是未来光电子时代最重要的半导体材料。
目前“第三代半导体”器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G 基站、PD 快充等应用领域,碳化硅主要 应用在新能源汽车和工控等领域,氮化镓器件主要应用在5G基站等领域。2020 年我国“第三代半导体”产业电力电子和射频电子总产值超过 100 亿元,同比增长 69.5%。其中,SiC、GaN 电力电子产值规模达 44.7 亿元, 同比增长 54%;GaN 微波射频产值达到 60.8亿元,同比增长 80.3%。
碳化硅功率器件被广泛应用于新能源汽车中的主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电 桩等,光伏、风电等领域。受益新能源汽车的放量,碳化硅功率器件市场将快速增长。 根据Yole数据,2018年和2024年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和50亿美金,复合增速约51%,按照该 复合增速,2027年碳化硅功率器件市场规模约172亿美金。
碳化硅衬底材料市场增速快。受益新能源汽车的放量和5G建设应用的推广,碳化硅衬底材料市场规模有望实现快速增长。 根据Yole统计,碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金,复合增速达 44%。按照该复合增速,2027年碳化硅衬底材料市场规模将达到约33亿美金
同时,根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。
近年来,在国家及地方政府层面,多次出台行业扶持政策,重点发展第三代半导体产业,解决半导体行业“卡脖子”问题。在火热的市场环境下,各地政府也积极参与到三代半导体项目的投资建设当中。
因三代半导体投资规模相对较低,产业链上游的材料及生产环节不再集中于一二线城市,而是全国遍地开花。数据显示,2018-2020年,我国仅SiC项目政府投资达到32个,计划投资金额超过700亿。
近两年的投资热潮,也使得该领域的企业普遍估值偏高,产生了泡沫,一些项目在未来3-5年很可能难以落地,行业将迎来一次洗牌。
在5G信息技术时代,第三代半导体迎来新发展机遇,新基建的实施助推第三代半导体产业发展进入黄金窗口期,呈现一派发展好势头,有望逐步实现自主可控、安全可靠的第三代半导体产业体系,与第一代、第二代半导体优势互补、协同支撑新一代信息技术创新发展,支撑中国新时期社会经济的高质量发展。
想要了解更多半导体行业的发展前景,请查阅《2021-2025年中国半导体行业竞争分析及发展前景预测报告》。

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