公开资料显示,截止2021年,全球DRAM总产能大约是150万片/月,预测到2022年底,会提升至160万片/月左右。
产业环境方面,目前闪存(NAND Flash)和内存(DRAM)市场主要被美韩日等国外几家企业所垄断,如韩国三星、海力士、美国镁光、日本东芝等,其中国际DRAM市场中,三星连续10多年蝉联世界第一,市占率维持在60%。从全球DRAM芯片市场销售区域来看,中国是全球第二大DRAM消费市场,仅次于美国,市场前景较好。
2016年手机内存需求的快速增长导致全球内存芯片缺货,而内存条价格也跟着水涨船高,比如当时一根DDR4 8G PC用内存条价格一度涨到900元。据Business korea报道,内存价格大涨的背后可能不全是市场因素,是三星、美光等存储公司通过削减产量、减少供应的方式,抬高了DRAM的价格。
由于中国拥有庞大内需市场优势,目前已成为全球最大集成电路消费市场。中国集成电路产业是获得中国政府大力支持的一个战略性产业,历年集成电路设计公司规模持续增长及设计能力显著提升。尽管中国集成电路设计公司的平均规模仍落后于世界顶尖的集成电路企业,但差距已日益缩小。
但是存储器作为我国集成电路产业中占比最大的领域之一,势必会在我国信息产业发展中扮演极为重要的角色,而云计算、物联网、大数据等领域的布局,集成电路相关政策的发布,更是为存储器产业发展奠定了市场、政策等基础。
从外部发展环境来看,我国在应用固态硬盘、磁硬盘、磁带、半导体等数据存储领域都面临“卡脖子”问题,亟须构筑存储领域发展长板。当前我国在电存储和磁存储领域尚不具备国际竞争优势,特别是磁盘存储市场被美国和日本企业垄断。当前全球光存储技术及产业尚未进入成熟期,我国领军企业与研发机构有望与国际领先水平同步创新,甚至引领产业技术发展方向。
从技术路线来看,全息光存储被视为下一代光存储技术。全息光存储是一种高密度三维光存储技术,采用与传统二维存储完全不同的机理。与目前存储方式相比,全息光存储技术将提供超过TB(太字节)级的存储容量,能够满足更大数据量的存储需求,为数据的读取提供更快的速度。
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