5月24日消息，据国外媒体报道，研究机构的数据显示，在2019年下滑之后，全球存储芯片市场在2020年恢复了增长，今年及未来两年仍将延续增长势头。从研究机构的报告来看，今年全球存储芯片市场的规模，将达到1552亿美元，较去年的1267亿美元增加285亿美元，同比增长22.5%。而在2023年，全球存储芯片市场的规模，预计将达到1804亿美元，较预计的2021年的1552亿美元增加252亿美元，同比增长16%。
值得注意的是，2022年全球存储芯片市场的规模若超过1800美元，就将超过2018年的1633亿美元，创下新高。从2020年到2022年连续3年增长之后，研究机构预计全球存储芯片市场，在2023年仍将延续增长势头，2023年的规模预计达到2196亿美元，较2022年增加392亿美元，同比增长21.7%。
研究机构在报告中表示，存储芯片市场的规模增长，首先是得益于需求的增长，数据中心、服务器、笔记本电脑、移动设备等对存储芯片的需求，将拉升存储芯片的市场需求;其次则是价格的上涨，需求的增长，也推出了存储芯片的价格，DRAM的平均销售价格，在一季度就增长了8%。
根据中研普华出版的《2020-2025年中国存储芯片产业深度调研及未来发展现状趋势预测报告》显示：
存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。带有各种处理器内核的SoC以及集成更多处理能力的FPGA产品将在越来越多的嵌入式系统中扮演重要角色。对于动态变迁的存储市场，借助FPGA来实施嵌入式解决方案，可以定制实现其系统处理能力、外围电路和存储接口，并快速提高核心竞争力。FPGA在设计灵活性上也具有很大优势，通常被称为"软核处理器-硬件加速器"的FPGA将大幅提升系统性能。通过FPGA实现的存储芯片架构将会通过产品研发能力的提高，引发中高端存储竞争格局的改变。
电脑、手机、汽车、数码相机等等各种电子产品，都需要存储芯片。中国作为全球最大制造国，对存储芯片有巨大需求，我国对存储芯片的需求占全球约两成比例，近两年全球存储芯片价格持续上涨对中国产生了巨大影响，导致本来就利润微薄的行业饱受其苦，要打破这种局面，实现存储芯片的自主可控是最好的也是唯一的出路。在这种背景下，中国开始积极发展自己的存储芯片产业。
当前全球存储芯片主要为韩美日三国所占有，全球存储芯片老大无疑是三星，其在NAND flash和DRAM市场均占据优势的市场份额，而按国家来说韩国是全球存储芯片的龙头，拥有三星和SK海力士两大存储芯片企业。
存储芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士，市场份额分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%;在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光，市场份额分别为45%、28%、21%。
长江存储、合肥长鑫、福建晋华正在奋起直追，纷纷开始布局，投产存储芯片，这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。
在之前国内按集成电路产业的分类，全国的产业格局呈现“三超多强”。即北京、上海、深圳为“三超”，苏州、无锡、成都、西安、武汉为“多强”。上述人士回忆，当时北上深依托“中芯国际”和“海思”成为三强。而无锡、上海一带则有908、902工程作依托，成都有封测产业，西安还有三星的制造业基地，武汉则凭借着武汉新芯成为多强之一。
国内的内存还是闪存产品在国际竞争格局上，基本均被韩国、日本、美国等国垄断。其中在DRAM领域，三星、海力士及美光(它于2012年兼并日本的尔必达)为行业龙头，在NAND领域，也由三星、东芝、新帝，海力士以及美光、英特尔共同掌握全球话语权。
现在长江存储、合肥长鑫、福建晋华担起了这个重任，共同发力，长江存储主要发展NAND flash，合肥长鑫和福建晋华主要发展DRAM，三家企业在去年底实现了厂房封顶，近期开始陆续搬入机台等生产设备，按计划它们今年下半年将开始试产存储芯片。
当然中国的存储芯片企业在投产后还需要在技术方面追赶韩美日等存储芯片企业，长江存储当下准备投产的为32层NAND flash而韩国三星去年就开始大规模投产64层NAND flash，长江存储希望在未来两三年实现64层NAND flash的技术突破，把技术差距尽量缩短到两年以内来。
欲了解中国存储芯片市场发展分析具体信息可点击中研普华《2020-2025年中国存储芯片产业深度调研及未来发展现状趋势预测报告》
