有机构分析,照目前进度看来,2022年三大DRAM原厂的扩厂规划其实仍显保守,预估明年的供给位元成长率约17.9%,然而由于目前买方库存水位已偏高,加上2022年需求位元成长率仅16.3%,低于供给端的成长速度,2022年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。
以DRAM消耗量占比最高的智能手机、服务器及笔电市场来看,此三大产品在2021年以来的成长力道相当强劲,然也相对垫高2022年的比较基础,使得明年生产或出货量要出现大幅成长的难度增加。除此之外,各大产业持续受零部件缺料所苦,终端产品组装受限将使相对身为长料的DRAM需求量下滑。整体而言,2022年DRAM需求端的位元成长率预估仅16.3%,将低于供给端的增速。
在2021年三季度财报会议期间期间,南亚科技总裁李培瑛向投资者们透露,4季度的DRAM价格预计会下降。从其修饰的措辞来看,新预测基于市场需求的减少。与此同时,行业内各种组件的短缺,已经从消费领域波及到了服务器、移动设备、以及电动汽车市场。
另外,权威数据机构Trend Force在9月下旬公布的一份报告中指出:“由于DRAM市场的供求关系发生变动,导致部分厂商的DRAM芯片库存超过安全线”。据Trend Force保守估计:DRAM芯片在2021年第四季度的价格将下跌5%~10%。
我国在2019年购买的DRAM芯片数量占全球DRAM芯片市场的34%。随着我国5G项目的开展和国内通讯技术的不断发展,我国后续对DRAM芯片的需求量将会更多。2020年我国储存市场规模突破3000亿元人民币也很好地证明了这一点。
据公开数据统计,今年全球存储器的市场规模将超过1500亿美金,其中NAND Flash大约在650亿美元左右,而DRAM大概在911亿美元。从现货指数来看,今年前8个月整个NAND Flash和DRAM的综合价格指数分别上涨了12.4%和18.4%。
未来随着智能手机、PC、数据中心等对存储器需求不断增长,从2020年到2025年全球NAND Flash容量将维持在30%左右高增长,DRAM容量将以20%左右的增长率成长。
从全球市场格局来看,在NAND Flash与DRAM生产环节中,以韩国、美国、日本作为第一梯队,而中国台湾作为第二梯队,中国大陆则是新进选手。与其他DRAM厂商相比,目前大陆在DRAM市场中并不具备竞争优势。虽说长江储存完成128层堆栈闪存芯片的突破、量产,但在生产规模和堆栈工艺上,与美光、SK海力士、三星这些DRAM芯片巨头相比;国产厂商依旧有很长的一段距离需要追赶。
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