电子束曝光是用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂,经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。
光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短,光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论,电子是一种波长极短的波。这样,电子束曝光的精度可以达到纳米量级,从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光需要的时间长是它的一个主要缺点。为了解决这个问题,纳米压印术应运而生。
根据中研普华产业研究院发布的《2022年全球与中国电子束曝光系统(EBL)市场深度研究报告》显示:
随着器件的特征尺寸不断缩小,在掩模版制造中普遍采用电子束曝光和激光光刻设备,在这两类设备中,电子束设备在性能和数量上均占优势。最先进的激光制版系统,其束斑直径在0.2μm左右,可以用来制作0.18μm,0.15μm生产线的掩模版,但对特征尺寸更小的器件的掩模,只能用电子束曝光系统来制作,特别是用于光学光刻中的铭版制造。
据不完全统计,截至2021年底,全球电子束曝光系统产能约为3564台,产量约为3411台,产能利用率约为95.71%。
近年来,中国电子束曝光系统的产量和产值都呈现出较快的增长态势。据统计,2021年,中国电子束曝光系统的产量约为864台,同比增长12.06%;产值约为6.82亿美元,同比增长18.40%。
2021年美国电子束曝光系统的产量约为268台,较2020年增长了5.10%;产值约为2.29亿美元,较2020年增长了6.02%。
据统计,2021年欧洲电子束曝光系统的产量约为1364台,较2020年增长了6.98%;产值约为14.14亿美元,较2020年增长了12.67%。
随着器件的特征尺寸不断缩小,在掩模版制造中普遍采用电子束曝光和激光光刻设备,在这两类设备中,电子束设备在性能和数量上均占优势。最先进的激光制版系统,其束斑直径在0.2μm左右,可以用来制作0.18μm,0.15μm生产线的掩模版,但对特征尺寸更小的器件的掩模,只能用电子束曝光系统来制作,特别是用于光学光刻中的铭版制造。
这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大,而且生产效率高,但由于电子束在光刻胶膜内的散射,使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响(即临近效应),造成的结果是,显影后,线宽有所变化或图形畸变。虽然如此,限角度投影式电子束光刻仍是最具前景的非光学光刻。
中研普华利用多种独创的信息处理技术,对电子束曝光系统(EBL)行业市场海量的数据进行采集、整理、加工、分析、传递,为客户提供一揽子信息解决方案和咨询服务,最大限度地降低客户投资风险与经营成本,把握投资机遇,提高企业竞争力。
了解更多行业详情,可以点击查阅中研普华产业研究院的《2022年全球与中国电子束曝光系统(EBL)市场深度研究报告》。

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