美光科技将在日本广岛量产尖端DRAM
日经中文网6月13日消息,美国大型存储器企业美光科技首席商务官(CBO)Sumit Sadana表示,公司计划于2022年内在日本广岛工厂量产暂时保存数据的半导体DRAM的尖端产品。关于被该公司称为“1β”的尖端DRAM,Sumit Sadana表示“正与日本政府和(设备企业等)合作伙伴进行沟通,将在2022年底前启动量产”。
美光科技DRAM行业收入分析
今年上半年,DRAM和NAND Flash量价齐升,但美光预警下个季度出货量将减少。
截止到2021年8月31日的2021年第四财季中,美光创造了历史季度营收第二高的纪录,达到83亿美元,同比增长37%,环比增长11%;其中NAND Flash收入和嵌入式部门收入均创季度高点。营业利润为31亿美元,环比增长30%,同比增长136%;净利润为28亿美元,环比增长28%,同比增长126%。
本财季DRAM收入为61亿美元,环比增长12%,同比增长39%。DRAM Bit出货量环比低个位数成长,ASP环比高个位数成长。2021年DRAM bit需求成长20%左右,2022年成长15%以上。
本财季NAND Flash收入20亿美元,环比增长9%,同比增长29%。NAND Flash Bit出货量环比低个位数成长,ASP环比增长5%。2021年NAND bit需求成长35%以上,2022年成长接近30%。
据中研产业研究院报告《2021-2026年DRAM行业深度分析及投资战略研究咨询报告》分析
据公开数据统计,今年全球存储器的市场规模将超过1500亿美金,其中NAND Flash大约在650亿美元左右,而DRAM大概在911亿美元。从现货指数来看,今年前8个月整个NAND Flash和DRAM的综合价格指数分别上涨了12.4%和18.4%。
未来随着智能手机、PC、数据中心等对存储器需求不断增长,从2020年到2025年全球NAND Flash容量将维持在30%左右高增长,DRAM容量将以20%左右的增长率成长。
从全球DRAM行业市场格局来看,在NAND Flash与DRAM生产环节中,以韩国、美国、日本作为第一梯队,而中国台湾作为第二梯队,中国大陆则是新进选手。
与所有半导体产品一样,少数公司倾向于控制特定产品的多数市场份额,DRAM也不例外,存储器行业科技含量高,高昂的研发成本使得资本支出大且增速高于其他行业,从而垄断格局牢固,巨头优势下马太效应愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨头已经在DRAM领域形成了“高市占率→高营业额→研发投入大→技术领先→抢占市场”的良性循环。据统计,2020年Q3三星占据41.3%市场份额,SK海力士占据28.2%市场份额,美光占据25%市场份额,其他占比5.5%。
目前国内三大存储器制造商分别是长江存储,福建晋华和合肥长鑫。长江存储主要负责NAND Flash技术研发,福建晋华和合肥长鑫则负责DRAM领域。
下半年福建晋华投产之后,被美国商务部以国家安全为由列入出口管制清单,美国三大半导体制造商在禁令当天撤出福建晋华12寸厂,随后技术合作方台湾联电表态终止合作,福建晋华于2019年3月停产。目前国产替代DRAM最大希望就在合肥长鑫。
据公开数据统计,今年全球存储器的市场规模将超过1500亿美金,其中NAND Flash大约在650亿美元左右,而DRAM大概在911亿美元。未来随着智能手机、PC、数据中心等对存储器需求不断增长,从2020年到2025年全球NAND Flash容量将维持在30%左右高增长,DRAM容量将以20%左右的增长率成长。
更多行业消息,请点击中研普华研究院出版的《2021-2026年DRAM行业深度分析及投资战略研究咨询报告》。

关注公众号
免费获取更多报告节选
免费咨询行业专家