第三代半导体技术加速进步。第三代半导体正是以碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体为主,更适合制造耐高温、高压、打点零的高频率大功率器件。诸多市场热门题材,包括 5G 基站、新能源汽车等都是第三代半导体的重要应用领域。
全球范围内,美国、欧洲、日本、中国在第三代半导体发展上处于“四足鼎立”状态。当前,国内第三代半导体产业发展得如火如荼,在现代工业、通信等领域都有巨大的应用前景。苏州、长沙、合肥、南昌等地都在布局半导体产业园,希望提高在全球的竞争力。
2021年,我国发展第三代半导体也被写入 " 十四五 " 规划。规划要求,要加强原创性引领性科技攻关。其中,在集成电路层面,包括集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发,集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管 ( IGBT ) 、微机电系统 ( MEMS ) 等特色工艺突破,先进存储技术升级,碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
根据中研普华研究院《2020-2025年中国第三代半导体行业发展现状分析与投资前景预测研究报告》显示:
美日欧为了抢占第三代半导体技术的战略制高点,从2000年就开始通过国家级创新中心、联合研发等形式,实现了第三代半导体技术的加速进步。第三代半导体的市场需求也持续攀升,在全球范围掀起投资热潮。
以全球第三代半导体产业的龙头企业为例,美国Cr ee继续深化在SiC晶圆和射频器件领域的优势,2019年投资10亿美元用来扩大SiC产能,包括整合一座8英寸晶圆厂和一座SiC材料工厂,并收购英飞凌射频功率事业部。英飞凌出售射频功率业务后,专注在汽车和功率半导体市场,2018年收购SiC企业Sil? t ectr a,2019年以90亿欧元并购赛普拉斯半导体,通过合并,英飞凌将成为第一大汽车芯片供应商。
2020年意法半导体与台积电达成合作,加速氮化镓制程技术开发,将分立式与集成式氮化镓元件导入市场。2021年,美国雷神公司与世界第三大晶圆代工厂格芯签约,合作开发新型硅基氮化镓半导体,为5G和6G移动和无线基础设施带来更先进的射频性能。
中国SiC、GaN电力电子器件主要应用于新能源汽车、消费类电源和工商业电源应用。在消费电子方面,GaN快充电源作为新应用带来较大的市场,小米、OPPO、华为等手机厂商相继推出GaN快充。在新能源汽车方面,比亚迪、吉利、一汽集团、江淮汽车、长城汽车等车企都在新能源汽车中采用SiC。SiC电力电子器件正加速进军轨道交通领域。GaN射频器件主要应用在军工雷达和5G基站,华为、诺基亚、中兴的多数5G基站已采用GaN的PA器件。
我国第三代半导体整体产值超7100亿元,2023年第三代半导体材料渗透率有望接近5%。从渗透率角度来看,Yole数据显示,Si仍是半导体材料主流,占比95%。随着第三代半导体渗透率逐年上升,SiC的渗透率在2023年有望达到3.75%,GaN渗透率在2023年达到1.0%,第三代半导体渗透率总计4.75%。
《2020-2025年中国第三代半导体行业发展现状分析与投资前景预测研究报告》由中研普华研究院撰写,本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析,重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力,以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态,对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。

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