磷化铟单晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半导体,化学分子式为InP。InP已经成为非常重要的半导体材料之一,主要应用于光电子技术和微波技术领域,而另一大有发展前途的应用领域是太阳能动力技术。
作为新一代半导体材料,磷化铟单晶具有宽禁带结构,使用该材料制备而成的半导体器件具备优异的导热性能、光电转换效率、禁带宽度、稳定可靠性能、抗辐射性能等。
随着全球电子制造业向发展中国家和地区转移,中国半导体行业近年保持快速发展。“十三五”计划推动了我国云计算、物联网、大数据、智能电网、汽车电子、移动智能终端、网络通信等应用的持续落地,带动半导体需求持续释放,是我国半导体产业发展的关键时期。2021年中国已成为全球最大和贸易最活跃的半导体市场,市场规模为1,925亿美元,同比增长26.9%,占全球市场三分之一以上。
目前全球第三代半导体产业正进入快速增长期,广泛应用于符合“双碳”目标的新能源、交通制造产业升级以及光电应用场景,已成为推动诸多产业创新升级的重要引擎。
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体,具有高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射等方面的优越性能,在新能源车、光伏、风电、5G基站、高铁等领域有着很大应用潜力。世界主要国家纷纷加速技术攻关和产业布局,我国发展第三代半导体也已经具备技术突破和产业协同发展的基础。
根据中研普华产业研究院发布的《2023-2028年中国磷化铟单晶行业市场深度调研及投资策略预测报告》显示:
磷化铟单晶有着较高的技术壁垒,目前关键技术仍掌握在美、日等发达国家手中,如美国AXT、日本住友等。我国对磷化铟单晶的研究始于20世纪70年代,与发达国家相比,起步时间较晚、技术经验储备不足。
国内布局磷化铟单晶市场的企业数量较多,主要企业包括云南锗业、东一晶体、中科晶电、北京通美、先导稀材、鼎泰芯源等,但多数企业仍处于研发阶段。
磷化铟是磷和铟的化合物,是继锗、硅(Si)之后的新一代微电子、光电子功能材料,其具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度高等诸多优点,被广泛应用于光通信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光器、光探测器等领域。
磷化铟是半导体产业金属新材料中5G产业金属相关材料,5G产业金属相关材料主要包括高频覆铜板、砷化镓、磷化铟等。从政策端来看,政策大力支持,为新材料行业发展保驾护航。由于我国关键材料领域供给缺口较大,国家相继颁布相关政策规划大力发展新材料行业。
资料显示,早在2017年2月,云南锗业董事会就审议通过由云南鑫耀半导体材料有限公司使用3600万元自有资金实施“5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目”。2019年12月,云南锗业又披露,将用两年时间建设一条年产15万片4英寸磷化铟单晶片生产线。项目总投资为3.24亿元,达产后预计可实现年营业收入3.2亿元,年平均利润总额1.19亿元。
截至2021年末,云南锗业砷化镓晶片产能为80万片/年(2—4英寸);磷化铟晶片产能为10万片/年(2—4英寸)。2020年鑫耀公司砷化镓晶片、磷化铟晶片良品率指标明显提高,产品成本大幅下降,开始向下游客户批量供货。2021年,鑫耀公司营业收入7097.72万元,营业利润1784.66万元。
目前,已经商品化的磷化铟晶片尺寸有2-4英寸,现在都在努力促进6英寸磷化铟单晶片的商业化,但是还有相当一段时间要走,现在国际上高质量4英寸半绝缘磷化铟单晶片是未来相当长一段时间里需求的方向。为了降低成本,磷化铟单晶的总体发展趋势是向大尺寸、低位错、工业化大规模生产化发展。
近年来,5G/6G通讯、数据中心、元宇宙等数字经济的快速发展,磷化铟晶片的需求量以每年15%的速度递增。其中,用于光电器件、微波通讯的磷化铟衬底占较大市场份额。
伴随着下游高新技术产业快速发展,磷化铟单晶市场规模逐步扩大,行业展现出良好发展前景。但全球磷化铟单晶关键技术仍由美、日企业所垄断,本土企业技术水平还比较低,未来企业还需持续加快研发进程,行业成长空间巨大。
随着磷化铟单晶行业竞争的不断加剧,大型企业间并购整合与资本运作日趋频繁,国内外优秀的磷化铟单晶企业愈来愈重视对行业市场的分析研究,特别是对当前市场环境和客户需求趋势变化的深入研究,以期提前占领市场,取得先发优势。
本报告由中研普华的资深专家和研究人员通过长期周密的市场调研,参考国家统计局、国家商务部、国家发改委、国务院发展研究中心、行业协会、中国行业研究网、全国及海外专业研究机构提供的大量权威资料,并对多位业内资深专家进行深入访谈的基础上,通过与国际同步的市场研究工具、理论和模型撰写而成。全面而准确地为您从行业的整体高度来架构分析体系。让您全面、准确地把握整个磷化铟单晶行业的市场走向和发展趋势。
更多行业详情请点击中研普华产业研究院发布的《2023-2028年中国磷化铟单晶行业市场深度调研及投资策略预测报告》。

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