存储产业最新进展分析：DNA数字存储纠错新算法、二维高性能浮栅晶体管存储器

存储产业最新进展分析：DNA数字存储纠错新算法、二维高性能浮栅晶体管存储器

我国科学家提出DNA数字存储纠错新算法

从中国农业科学院获悉，该院深圳农业基因组研究所农业基因组学技术研发与应用创新团队提出DNA数字存储纠错新算法，成功突破了冗余对纠错能力的限制，将大幅提升DNA存储纠错能力。相关研究成果日前发表在我国学术期刊《国家科学评论》上。

我国科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展

从华中科技大学了解到，该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展，研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件，与现有商业闪存器件性能对比，其擦写速度、循环寿命等关键性能均有提升，为发展高性能、高密度大容量存储器件提供了新的思路。

中研研究院出版的《2023-2028年中国存储器行业发展分析与投资前景预测报告》显示

存储器行业发展分析

在国产替代的趋势下，国内厂商存储器技术的逐渐成熟，国产品牌开始迅速壮大。目前我国外部存储器市场上国产品牌已经占据约 60%的市场份额。其中，华为目前排名第一，市场占有率约为20%，Dell EMC 排名第二，市占率 14%，第三到六名分别是海康威视、IBM、曙光和浪潮。除此之外，主要的国内厂商还包括：长江存储、兆易创新、东芯半导体、江波龙等。

存储设备作为我国集成电路产业中占比最大的领域之一，存储设备势必会在我国信息产业发展中扮演极为重要的角色，而云计算、物联网、大数据等领域的布局，集成电路相关政策的发布，更是为存储设备产业发展奠定了存储设备行业市场、政策等基础。

存储器产业环境方面，目前闪存(NAND Flash)和内存(DRAM)市场主要被美韩日等国外几家企业所垄断，如韩国三星、海力士、美国镁光、日本东芝等，其中国际DRAM市场中，三星连续10多年蝉联世界第一，市占率维持在60%。从全球DRAM芯片市场销售区域来看，中国是全球第二大DRAM消费市场，仅次于美国，市场前景较好。

DRAM是最为常见的系统内存，存储速度快、存储容量大，在计算机中常作为主存储器。三星展出的14纳米DDR5内存，是业内首款基于14纳米EUV技术的DRAM产品，容量可达512GB。与普通DDR4相比，功耗降低20%，频率可达7200MHz，能满足超级计算机、机器学习、人工智能等方面的需求，并通过提高性能和降低功耗，满足IT行业对绿色发展的要求。

2022年3月开始的相对高点之后，目前也处于下跌周期，周期长度与DRAM基本重合。代表性颗粒128\256\512GbTLCwafer价格均处于近两年低谷，如512GbTLCWafer现货目前平均价仅为1.40美金。我们预计，相比DRAM，NAND有望先迎来价格上行。

23Q3DRAM、NAND产品均价继续下跌但跌幅预计减少，NANDFlashWafer产品均价有望上涨。对于短期内DRAM和NAND芯片的价格变动，参考TrendForce对3Q23产品价格的预估：

①DRAM方面，受益于DRAM供应商陆续启动减产，以及季节性需求支撑减轻供应商库存压力，预期23Q3DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%，其中PCDRAM、ServerDRAM、MoblieDRAM、GraphicsDRAM、ConsumerDRAM的23Q3均价均预计环比下跌0~5%;

②NANDFlash方面，同样受惠于原厂减产幅度持续扩大，与季节性旺季需求支撑，预估23Q3整体NANDFlash均价下跌收敛至3~8%，其中NANDFlashWafer均价预估将率先上涨，环比增长0~5%;

eMMC、UFS，其合约均价预计跌幅仍有约8~13%;EnterpriseSSD均价跌幅将收敛至5~10%;ClientSSD均价将环比下跌8~13%。

存储器行业研究报告旨在从国家经济和产业发展的战略入手，预测未来业务的市场前景，以帮助客户拨开政策迷雾，寻找行业的投资商机。存储器报告在大量的分析、预测的基础上，研究了行业今后的发展与投资策略，为企业在激烈的存储器市场竞争中洞察先机，根据市场需求及时调整经营策略，为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供了准确的市场情报信息及科学的决策依据。

更多存储器行业发展前景预测，请关注中研研究院出版的《2023-2028年中国存储器行业发展分析与投资前景预测报告》。