存储芯片行业发展前景与趋势：全球市场基本被韩日美等国垄断

存储芯片行业发展前景预测

一、行业发展驱动因素分析

近年来，消费类芯片供过于求的市况愈加凸显，而作为半导体业“大宗商品”的存储芯片，价格也出现了下滑，且波动明显。然而，在各种应用设备和系统中几乎无所不在的存储芯片(以DRAM和NAND Flash为主)，不会像多数纯消费类芯片那样，对单一或少数类别应用有特别高的依赖性，在消费类、高性能计算、汽车、工业等领域，存储芯片都是不可或缺的，因此其发展前景依然乐观，这也是近些年存储芯片三巨头始终稳居全球半导体厂商营收榜单前五的原因。

二、行业发展前景预测

存储芯片，是最能考验一个国家半导体产业基本功的品类，半个世纪前的英特尔，就是以存储器起家的，在奠定相应的设计和制造基础后，才有条件向CPU转型。日本也是如此，上世纪80年代的鼎盛时期，全球半导体厂商营收排名前10当中，有6家日本企业，其中多数都擅长存储芯片的研发和生产。韩国更是如此，作为后起之秀，三星凭借在存储芯片领域的投资和策略，一举超过了日本厂商，再加上SK海力士，使韩国占据了当今全球存储芯片市场的半壁江山。

而且，无论是从历史，还是现实角度看，有行业影响力的存储芯片厂商大都是IDM模式，晶圆代工厂的存储芯片业务市占率很小。这一特点似乎更加符合中国擅长集中力量办大事的国情，使得我们发展存储芯片具备先天优势。相信在本土三大存储芯片IDM的引领下，中国的DRAM和NAND Flash产业能够稳扎稳打，不断总结经验、吸取教训，把工艺技术、产能和良率推向新高。

存储芯片行业发展趋势分析

一、行业市场发展趋势分析

1、存储芯片迎来黄金发展期

全球内存及闪存产品在国际竞争市场上，基本均被韩国、日本、美国等国垄断。在DRAM领域，三星、海力士及美光为行业龙头，在NAND领域，三星、东芝、新帝，海力士以及美光、英特尔共同掌握全球话语权。

当前，中国已初步完成在存储芯片领域的战略布局，但由于中国起步晚，且受到技术封锁，市场份额较少，距离全面国产替代还有较大的发展空间。存储芯片良好的发展态势将为中国在这一领域的发展提供源源不断的需求保障。

2、IP创新与自主制造

对于存储器芯片，由于存储器芯片制程的难点在于IP和制造，头部厂商的主流经营模式为IDM模式，受制于欧美日韩对中国半导体行业的限制，中方获得IP的主要方式为合作授权与自主研发相结合的方式。

由于在DRAM领域中国厂商总体起步较晚，专利积累相对薄弱。但由于DRAM总体来说技术发展相对成熟，国际领先企业在研发领域资本投入已有所减少，这为中国厂商继续提高资本投入已实现国产替代提供了良好的机会。在此基础上中国厂商加快IP自主研发，降低成本的同时提高产品性能，从而在议价能力及定价弹性达到国际领先水平。

NAND Flash的IP方面，3DNANDFlash堆叠技术自2D平面技术升级而来，由于3D堆叠技术为近年来出现的新技术，中国头部企业长江存储与国际大厂的技术差距相对较小。但在IP储备领域，中国厂商仍处于弱势地位，三星、东芝、闪迪、海力士等存储器芯片巨头厂商仍具有压倒性优势。

在半导体产业向中国转移的大趋势下，国际大厂纷纷在大陆地区设厂或增大中国大陆建厂规模。据SEMI数据显示，近四年来全球投产晶圆厂超60座，其中26座位于中国大陆，占全球晶圆厂比例超40%。

制造业是集成电路的核心环节，制造环节向大陆的迁移直接促进中国存储器芯片产业的发展。随着大量晶圆厂在中国的建成，中国存储器芯片将迎来先进制程技术的突破与成熟。

二、行业技术发展趋势分析

3D化是当前NAND闪存推动发展的主要趋势，DRAM制造商展开纳米竞争。从主要存储芯片发展趋势来看，DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升，内存芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm级别第一代、第二代、第三代技术。目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM。

NAND Flash制程已经达到极限，目前，厂商们另辟蹊径从2D转向3D发展，目的是通过增加芯片的堆叠层数来获得更大的存储容量，而堆叠层数增加意味着光刻次数也随之增加。随着新科技如人工智能、AR/VR、物联网崛起以及下游消费电子、汽车电子的强劲需求，全球半导体需求有望得到复苏，推动存储芯片需求上升。

从中国市场来看，以智能手机、计算机等消费电子领域和云计算、大数据等高新科技技术领域为代表的存储芯片应用推动了存储芯片市场需求增长。此外，在中美贸易战中，美国通过多种方式限制对华出口高科技产品。受此影响，中国加大力度发展半导体行业，国产存储芯片的发展势头更加迅猛，一些企业对国产存储芯片的替代也更加迫切。

中国政府通过政策引导和产业资金扶持，鼓励本土存储芯片企业加强技术研发，以减少与国外企业的差距，实现中国存储芯片自主研发，加快国产替代进口。随着本土存储芯片企业研发动力不断增强，中国有望在5年内提高存储芯片技术水平，提升产品本土自给率。

三、行业企业竞争趋势分析

目前，DRAM芯片的市场格局是由三星、SK海力士和美光统治，三大巨头市场占有率合计已超过95%，而三星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。NAND Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。自2019后其他厂商如中国的长江存储慢慢进入全球视线，但市占率仍然较低。

从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头领导，细分领域也落后于国外及台湾厂商(如NOR Flash的旺宏/华邦等)，但近年来国内厂商奋力追赶，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距，其中，兆易创新位列NOR Flash市场前三，聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三，长江存储128层3DNAND存储芯片，直接跳过96层，加速赶超国外厂商先进技术。

值得注意的是，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。

《2023-2028年中国存储芯片行业市场竞争分析及发展预测报告》由中研普华存储芯片行业分析专家领衔撰写，主要分析了存储芯片行业的市场规模、发展现状与投资前景，同时对存储芯片行业的未来发展做出科学的趋势预测和专业的存储芯片行业数据分析，帮助客户评估存储芯片行业投资价值。