2026年光刻胶行业发展格局与企业核心策略分析

2026年光刻胶行业发展格局与企业核心策略分析

一、行业背景

光刻胶是半导体、新型显示、PCB精密制造领域实现微纳图形转移的核心战略性电子化学品，属于微电子产业制程环节的刚需基础性材料，位列芯片制造核心耗材第三大品类，直接决定芯片、面板、精密电路的制程精度、良率与性能上限，是制约我国高端半导体产业自主可控的关键“卡脖子”赛道。行业产品体系按技术壁垒由低至高分为PCB光刻胶、显示光刻胶、半导体g/i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶及EUV光刻胶六大层级，具备技术壁垒极高、认证周期极长、配方体系精密、配套门槛严苛、产业粘性极强的核心特征，广泛应用于集成电路、新型显示面板、高端印制电路板、先进封装、微纳光学等核心领域，是支撑数字经济、半导体产业、先进制造业高质量发展的核心底座材料。

回溯行业技术发展沿革，全球光刻胶产业历经三代技术迭代，国内产业实现阶梯式追赶突破：第一阶段为海外垄断期(2015年前)，全球高端光刻胶市场被日韩企业绝对垄断，国内仅实现低端PCB光刻胶量产，半导体、显示用高端光刻胶完全依赖进口，技术与产业化空白显著;第二阶段为国产破冰期(2016-2023年)，国内企业逐步突破g/i线低端半导体光刻胶技术，完成小批量认证导入，KrF光刻胶实现技术攻坚，初步构建国产替代基础体系;第三阶段为规模化突围期(2024-2026年)，行业进入中端放量、高端攻坚、体系成型、替代加速的关键转折阶段，g/i线光刻胶国产替代基本完成，KrF光刻胶实现规模化批量供货，ArF光刻胶完成客户验证、小批量出货，EUV光刻胶实现技术样机突破，国内光刻胶产业彻底告别低端单一格局，形成全层级技术布局体系。

2026年作为光刻胶行业国产替代黄金窗口期，全球半导体供应链重构、国内晶圆厂集中扩产、先进封装与AI芯片产业爆发，叠加海外高端光刻胶出口管制收紧、国内产业扶持政策加码、本土配方与配套产业链持续完善，多重红利共振推动行业彻底摆脱跟随式增长模式，迈入技术迭代提速、中端产能释放、高端技术突破、市场格局重构的高质量发展新阶段。本年度行业核心变革逻辑从“单点技术突破”转向“全产业链自主、规模化商用、体系化对标”，成为半导体材料国产替代进程中确定性最高、增速最快的核心赛道之一。

2026年行业扩容与变革的核心驱动因素聚焦三大维度：一是供需驱动，国内12英寸、8英寸晶圆厂持续扩产，成熟制程与先进封装产能大幅释放，叠加全球光刻胶海外供给收缩，行业供需缺口持续扩大，倒逼国产替代提速;二是技术驱动，国内光刻胶树脂、光引发剂、溶剂等核心原材料自主可控，配方工艺、精密涂布、纯度控制技术持续迭代，中端产品良率稳步提升，高端产品完成技术验证;三是政策与生态驱动，国内半导体产业自主可控战略、新材料扶持政策持续落地，国产供应链认证体系加速完善，双碳政策推动行业绿色工艺升级，全方位支撑行业规模化、高端化发展。

二、行业现状四维拆解：行业核心基本面

(一)技术迭代：全层级技术突破，中端规模化落地、高端攻坚提速

根据中研普华产业研究院发布《2026-2030年中国光刻胶行业全景调研与发展战略规划研究报告》显示，2026年光刻胶行业技术迭代核心目标聚焦纯度精细化、分辨率升级、良率提升、制程适配、原材料自主、绿色工艺优化六大方向，实现从低端替代向中高端全层级突破的技术跃迁，全品类产品完成迭代升级与场景适配。本年度行业技术格局呈现“低端成熟、中端放量、高端突破、前沿布局”的清晰梯队，各层级技术落地成效显著，彻底打破海外长期技术垄断格局。

分品类技术与工艺迭代成效明确：低端领域，PCB光刻胶、g/i线半导体光刻胶技术完全成熟，产品纯度、分辨率、稳定性达到国际对标水平，量产良率稳定在98%以上，全面适配90nm以上成熟制程晶圆、普通PCB与显示面板量产需求，实现100%国产化替代，工艺层面完成规模化量产、成本优化、批次稳定性升级;中端领域，KrF光刻胶成为2026年核心增量赛道，国内企业突破核心配方、精密涂布、显影控制工艺，产品适配28-90nm半导体制程与高端显示面板场景，完成国内主流晶圆厂规模化认证，实现批量持续供货，树脂等核心原材料自主可控率大幅提升，彻底打破日韩企业在中端市场的垄断;高端领域，ArF干式/湿式光刻胶完成技术攻坚与客户小批量验证，产品分辨率、线宽粗糙度、感光灵敏度基本满足先进制程需求，进入导入测试阶段;前沿领域，EUV光刻胶实现技术样机突破，感光速度、线宽控制达到3nm制程初步标准，完成实验室验证，为后续先进制程布局奠定基础。

技术落地场景高度分层，g/i线光刻胶全面覆盖成熟制程芯片、消费类显示面板、普通PCB场景;KrF光刻胶集中应用于功率半导体、存储芯片、中端逻辑芯片、高端LCD与OLED面板场景;ArF光刻胶瞄准28nm以下先进制程、AI芯片、高端先进封装场景;EUV光刻胶聚焦3nm及以下超先进制程前沿布局。2026年行业技术短板集中于高端ArF、EUV光刻胶的长期稳定性、批次一致性、极端制程适配性不足，高端核心配套设备、超高纯试剂仍存在少量海外依赖，高端产品规模化商用仍需1-2年认证周期。

(二)需求市场：成熟制程稳基盘，先进制程与出海拓增量

2026年中国光刻胶行业市场规模突破165亿元，同比增长15.2%，增速持续领跑半导体材料细分赛道，国内市场全球消费占比超35%，稳居全球第一大光刻胶消费市场。行业整体呈现低端需求稳健、中端需求爆发、高端需求紧缺、海外需求扩容的结构性增长格局，市场增长逻辑彻底从低端放量转向中高端价值提升，结构性增量特征凸显。

传统存量需求聚焦低端成熟应用赛道，增长逻辑以存量迭代、产能配套、成本替代为主。PCB光刻胶、普通显示光刻胶、g/i线半导体光刻胶对应传统PCB制造、中低端显示面板、90nm以上成熟制程芯片市场，下游应用场景成熟、需求稳定，依托国内传统电子制造业产能规模，筑牢行业基本盘。随着国内低端产能优化升级，传统赛道需求保持稳健增长，叠加国产产品性价比优势，逐步替代进口低端产能，存量市场结构持续优化。

新兴增量需求集中于中端先进制程、高端芯片、先进封装三大高景气赛道，成为行业核心增长引擎。一是成熟制程半导体赛道，国内8/12英寸晶圆厂持续扩产，功率半导体、存储芯片、MCU芯片产能大幅释放，带动KrF光刻胶需求爆发式增长，2026年中端半导体光刻胶市场增速超25%;二是先进制程与AI芯片赛道，AI大模型芯片、高端逻辑芯片迭代升级，28nm以下先进制程产能扩容，拉动ArF高端光刻胶刚需增长，高端光刻胶供需缺口持续扩大;三是先进封装赛道，Chiplet、TSV等先进封装技术规模化落地，对高精度、高稳定性光刻胶需求持续攀升，开辟全新增量空间。同时，海外新兴市场需求稳步扩容，东南亚、中东半导体产业转移带动光刻胶进口需求，国产中低端光刻胶凭借高性价比实现批量出海，成为行业新增量。整体来看，行业需求结构持续高端化，中高端光刻胶营收占比持续提升，行业整体盈利中枢上移。

(三)竞争格局：全球寡头垄断松动，国内梯队成型、国产替代提速

全球光刻胶行业呈现日韩寡头主导高端、中国加速突围、全球格局重构的竞争态势。全球高端市场高度集中，日本JSR、东京应化、富士胶片及美国陶氏四大海外巨头，凭借数十年技术积累、完善的配方体系、长期客户认证壁垒，垄断全球ArF、EUV高端光刻胶市场，占据全球60%以上市场份额，在高端制程配套、产品稳定性、技术迭代层面具备绝对壁垒;欧洲企业聚焦细分高端领域，依托精密化工优势占据部分特种光刻胶市场。2026年随着国产技术突破与海外供给收缩，全球寡头垄断格局首次出现实质性松动，中端市场国产份额快速提升。

国内市场竞争格局分层清晰，形成“龙头领跑中端、梯队攻坚高端、中小企业深耕低端”的三级差异化竞争体系。第一梯队为国内行业龙头，以彤程新材、南大光电、晶瑞电材、鼎龙股份为核心，具备完整的配方研发、原材料配套、量产制造、客户认证能力，其中彤程新材KrF光刻胶国内市占领先，绑定中芯国际、华虹等头部晶圆厂;南大光电、鼎龙股份聚焦ArF高端光刻胶攻坚，在手订单充裕，是国内中高端替代的核心主体，掌握行业核心客户资源与技术壁垒。第二梯队为腰部专精企业，聚焦单一细分品类，深耕PCB光刻胶、显示光刻胶、g/i线半导体光刻胶领域，依托规模化量产、高性价比优势抢占低端及中端下沉市场，细分赛道竞争力突出。第三梯队为中小配套企业，聚焦光刻胶配套试剂、辅助材料、区域渠道服务，依托精细化配套实现差异化生存。

2026年国内行业竞争逻辑彻底迭代，从早期低端价格竞争，转向技术迭代能力、产品良率稳定性、客户认证进度、原材料自主可控、规模化量产能力的综合价值竞争。行业国产化替代呈现阶梯式推进特征：低端PCB、g/i线光刻胶国产化率超90%，完全实现自主可控;中端KrF光刻胶国产化率突破35%，进入规模化放量阶段;高端ArF、EUV光刻胶处于认证突破阶段，国产化率不足5%，替代空间广阔。同时行业集中度持续上行，技术落后、认证缺失、稳定性不足的中小产能持续出清，头部企业马太效应凸显。

(四)政策环境：国内自主可控强力赋能，海外管制趋严、标准升级

国内政策层面，2026年是光刻胶行业国产替代政策落地、产业生态完善的关键之年，扶持与规范政策双向发力。产业扶持端，国家将高端电子化学品、半导体光刻胶纳入重点新材料、卡脖子技术攻坚清单，出台专项研发补贴、税收减免、产业基金扶持政策，重点支持ArF、EUV高端光刻胶技术攻关、产线建设与客户认证;半导体产业自主可控、新型工业化、数字经济相关政策持续落地，推动晶圆厂与本土光刻胶企业开展联合研发、绑定认证，加速国产供应链导入。双碳政策导向下，行业持续推进绿色化工改造，优化生产工艺流程、降低溶剂消耗与污染物排放，推动光刻胶生产制造低碳化、清洁化升级。行业监管端，国内完善电子化学品纯度、稳定性、环保生产标准，规范行业量产资质，淘汰高污染、低质低效产能，推动行业规范化、高质量发展。

海外政策与合规层面，全球呈现“高端技术封锁、中端市场开放、标准持续升级”的分化格局。欧美、日本持续强化半导体高端材料出口管制，收紧ArF、EUV光刻胶及核心原材料、生产设备对华出口政策，抬高国内高端技术突破与产品导入门槛，同时严格把控全球高端光刻胶技术专利与工艺壁垒，遏制国内高端产业追赶。东南亚、拉美等新兴半导体市场政策开放，降低电子化学品进口准入门槛，为国产中低端光刻胶出海提供红利窗口。同时，全球半导体材料国际标准持续升级，产品纯度、颗粒度、稳定性、环保能耗、可追溯性标准持续优化，倒逼国内企业对标国际标准升级产品体系与生产工艺，行业出海从粗放贸易转向标准化、合规化输出。

三、发展趋势五维预判：2027-2030年行业成长性预判

(一)技术融合趋势：材料与制程深度耦合，全链条一体化技术升级

根据中研普华产业研究院发布《2026-2030年中国光刻胶行业全景调研与发展战略规划研究报告》显示，未来光刻胶行业将打破单一材料研发属性，实现高分子材料合成、精密化工工艺、半导体制程、光学检测、AI精密调控多技术跨界融合，从单一感光材料产品升级为“材料+工艺+配套服务+制程适配”的一体化解决方案。材料与制程深度耦合成为核心趋势，光刻胶研发将深度绑定晶圆厂先进制程迭代，针对28nm、14nm、7nm及以下不同制程的曝光、显影、蚀刻工艺，定制化优化光刻胶分辨率、感光度、耐蚀刻性、线宽控制性能，实现材料与制程的精准适配。

技术一体化升级持续深化，AI智能调控技术全面应用于光刻胶配方调试、生产管控、批次稳定性优化，大幅缩短研发周期、提升产品良率;核心原材料、生产设备、检测仪器实现全链条自主适配，构建国产一体化技术体系;不同层级光刻胶技术相互迭代融合，KrF技术持续优化适配中端先进制程，ArF技术逐步规模化落地，EUV技术持续攻坚突破，形成低端迭代、中端领跑、高端突破、前沿布局的全层级技术格局。长期来看，行业将彻底实现技术、工艺、配套、制程的一体化自主可控，全面对标国际顶尖技术水平。

(二)场景深化趋势：突破传统应用，向高端制造全域渗透

随着产品精度、稳定性、适配性持续升级，光刻胶将突破传统PCB、普通显示、成熟制程芯片应用场景，向高端半导体、先进封装、微纳光学、特种电子、新能源精密制造等高端实体产业全域渗透，场景从“通用配套”转向“高端定制、精密适配”，垂直场景专业化特征凸显。半导体领域，全面适配AI芯片、功率半导体、存储芯片、车载芯片等高端芯片量产场景，支撑先进制程持续迭代;先进封装领域，深度适配Chiplet、2.5D/3D封装、TSV通孔等高端封装工艺，满足高密度、高精度图形转移需求。

新兴高端制造领域，微纳光学、MEMS传感器、车载精密电子、航空航天特种器件等产业对超高精度光刻胶需求持续爆发，开辟高端增量赛道;新能源领域，光伏精密电极、储能器件精密制造逐步引入专用光刻胶材料，实现新能源制造精度升级。未来行业增量核心将彻底从低端通用场景转向高端精密制造场景，定制化、高适配、高稳定性的中高端光刻胶产品将主导市场增长，垂直行业定制化解决方案成为企业核心增值业务。

(三)绿色低碳趋势：全产业链低碳改造，绿色化工体系成型

依托全球双碳战略与国内绿色化工政策导向，光刻胶行业将构建原材料低碳合成、生产制造清洁化、溶剂循环利用、废弃物无害化处理、产品低耗适配的全链条绿色低碳发展体系，绿色生产能力成为行业核心准入与竞争标准。原材料端，行业逐步替代高污染、高能耗化工原料，推广绿色环保树脂、低毒光引发剂、可循环溶剂，从源头降低生产污染与碳排放，实现核心原材料绿色化迭代。

生产制造端，全面推进精密化工产线低碳改造，采用密闭式生产、智能温控、节能精馏工艺，降低生产能耗与废气、废液排放;普及溶剂回收、提纯、复用循环体系，大幅提升原材料利用率，减少资源浪费与污染物产出。产品应用端，研发低能耗、高感光效率的新型光刻胶，降低芯片制程曝光能耗，适配晶圆厂绿色生产需求。废弃物处理端，建立标准化光刻胶废液、固废无害化处理体系，实现生产废弃物闭环处置。未来，绿色低碳产能将持续集中，高污染、高能耗、非合规老旧产能将全面出清，行业绿色产业化体系全面成型。

(四)全球化布局趋势：供应链区域重构，技术与产能双向出海

未来全球光刻胶产业将呈现供应链区域化重构、技术标准互通、产能梯度转移、跨国协同研发的全球化新格局，行业出海将从单一低端产品贸易，转向中端产能输出、技术协同、标准对接、本地化配套的全方位全球化布局。供应链布局层面，全球半导体材料供应链加速去单一化、区域化，国内企业依托完整的产业配套、规模化产能、性价比优势，逐步替代日韩低端、中端产能，同时在东南亚、中东等半导体新兴市场布局配套产能与仓储基地，贴近下游市场降低贸易成本、规避贸易壁垒。

产业协同层面，跨国技术联合研发成为常态，国内外企业围绕高端光刻胶配方、绿色生产工艺、先进制程适配等领域开展协同创新，加速全球技术成果互通;行业国际标准持续统一，产品纯度、检测方法、环保指标、制程适配标准逐步接轨，降低跨境产品适配与认证成本。市场布局层面，国产中低端光刻胶持续抢占全球新兴市场份额，中端KrF光刻胶逐步实现批量出海，高端产品依托技术突破参与全球高端市场竞争，形成“低端领跑、中端出海、高端对标”的全球化布局格局，全球产业分工从海外垄断转向中外差异化竞争、协同发展。

(五)安全可控趋势：全链条自主攻坚，产业安全生态全面完善

在全球地缘竞争加剧、半导体供应链安全战略升级的背景下，光刻胶行业将全面推进核心技术自主、原材料自主、设备自主、认证自主、生态自主的全链条安全可控体系建设，彻底破解高端材料卡脖子风险。技术层面，国内持续攻坚ArF、EUV高端光刻胶核心配方、精密合成工艺、光学调控技术，突破海外专利壁垒，补齐高端技术短板，实现全层级光刻胶技术自主可控。

产业链配套层面，加速光刻胶专用树脂、光引发剂、超高纯溶剂、特种添加剂等核心原材料国产化替代，推进精密涂布设备、检测仪器、曝光配套设备自主落地，构建从原材料、生产设备、制造工艺到终端产品的全自主供应链体系。产业生态层面，搭建国内光刻胶行业统一认证、检测、评测体系，推动晶圆厂与本土材料企业深度绑定、联合迭代，完善国产供应链适配生态。合规安全层面，建立产品质量溯源、专利合规、出口合规体系，规避技术专利风险与国际贸易风险。未来，全链条自主可控能力将成为企业核心核心壁垒，也是行业长期稳定发展的核心基石。

四、挑战与应对：行业核心痛点与落地性对策

(一)技术挑战：高端技术成熟度不足，认证周期长，标准体系待统一

核心痛点：一是高端技术规模化商用能力不足，ArF、EUV高端光刻胶虽实现技术突破与样品验证，但产品批次稳定性、长期可靠性、复杂先进制程适配性与国际巨头存在差距，良率波动较大，大规模量产商用仍存在技术瓶颈;二是客户认证周期冗长，半导体光刻胶属于高壁垒耗材，下游晶圆厂认证流程严苛、周期长达2-3年，高端产品市场导入速度缓慢，制约产能释放;三是行业标准体系不完善，国内光刻胶产品检测标准、制程适配标准、质量评价体系尚未完全统一，不同企业产品兼容性不足，制约产业规模化、生态化发展。

落地对策：一是强化产学研用协同攻坚，组建半导体光刻胶创新联合体，联合高校、科研院所、头部晶圆厂开展高端技术联合研发，针对性优化高端产品配方与工艺，搭建中试与量产验证平台，持续提升产品稳定性、良率与制程适配能力，缩短技术成熟周期;二是建立常态化联合认证机制，推动本土光刻胶企业与国内晶圆厂、封测厂深度绑定，开展前置式、嵌入式联合研发认证，提前适配下游制程迭代，压缩认证周期，加速产品批量导入;三是由行业协会牵头，联合头部企业制定统一的光刻胶产品检测、质量评级、制程适配、环保安全行业标准，统一技术规范与评价体系，提升产品通用性与产业协同效率。

(二)市场挑战：结构性供需失衡，低端内卷严重，高端盈利释放缓慢

核心痛点：一是市场结构性供需失衡突出，低端PCB、g/i线光刻胶产能过剩，大量中小企业扎堆布局，同质化严重;中高端KrF、ArF光刻胶产能稀缺、供给不足，无法完全匹配下游晶圆厂扩产需求;二是低端市场价格内卷激烈，中小厂商依托低价抢占市场，压缩行业整体毛利空间，导致低端赛道盈利持续承压;三是高端市场盈利释放缓慢，高端产品研发投入大、前期成本高、认证周期长，短期难以实现规模化盈利，多数企业高端业务处于投入期，整体盈利结构有待优化。

落地对策：一是优化产能结构，主动出清低端低效、同质化产能，引导中小厂商退出低端内卷赛道，向细分特种光刻胶、配套材料领域转型;头部企业持续加码中高端产能建设，精准匹配下游增量需求，缓解结构性供需矛盾;二是推行分层差异化竞争策略，低端企业聚焦细分特种场景、定制化配套服务，避开通用赛道价格竞争;中端龙头依托规模化量产、稳定品质抢占主流市场，提升市场份额与盈利稳定性;高端企业聚焦技术壁垒赛道，以技术稀缺性获取高溢价;三是优化盈利模式，依托技术迭代与认证突破，快速放量中高端高毛利产品，逐步替代低端低毛利业务，同时拓展技术授权、定制研发、配套服务等增值业务，优化整体收入结构，提升行业整体盈利中枢。

(三)政策与国际化挑战：海外技术封锁严苛，贸易壁垒突出，出海合规复杂

核心痛点：一是海外技术封锁与出口管制持续收紧，日韩欧美对高端光刻胶、核心原材料、生产设备、专利技术实施严格封锁，国内高端技术攻坚与产业升级受阻;二是国际贸易壁垒加剧，海外高端市场设置严苛的产品准入、认证、专利壁垒，国产中高端产品出海难度较大;三是全球监管标准差异化显著，各国半导体材料环保、安全、质量、数据合规标准不统一，出海合规成本高、本地化运营壁垒突出。

落地对策：一是坚持自主可控攻坚路线，集中产业资源突破高端技术与配套壁垒，完善全链条国产供应链，摆脱海外技术与设备依赖，对冲海外封锁风险;二是实施差异化全球化布局策略，规避海外高端垄断市场，重点深耕东南亚、中东、拉美等新兴半导体市场，依托性价比与产能优势抢占全球中低端、中端市场份额，逐步积累海外品牌与渠道优势;三是搭建全域分层合规体系，组建专业半导体材料合规团队，对标国际质量、环保、专利标准，完成产品国际认证，适配不同区域准入规则，同步搭建海外本地化渠道与售后体系，破除出海合规与市场壁垒。

五、行业发展格局与企业核心策略

根据中研普华产业研究院发布《2026-2030年中国光刻胶行业全景调研与发展战略规划研究报告》显示，2026年是光刻胶行业国产替代提速、结构优化、技术跃迁的关键转折之年，行业整体呈现低端产能出清、中端规模放量、高端技术突破、全球格局重构、绿色合规升级的核心发展态势。从核心增长逻辑来看，行业彻底告别低端粗放增长模式，依托国内晶圆厂产能扩容、海外供给收缩、技术自主突破、政策强力扶持四重红利，实现结构性高速增长，技术迭代、国产替代、场景升级、全球化拓展成为行业四大核心增长驱动力。

从未来发展趋势来看，2027-2030年行业将持续沿着技术融合一体化、场景渗透高端化、产业发展绿色化、全球布局精细化、产业体系安全可控五大方向深度演进，光刻胶将成为我国半导体材料自主可控的标杆赛道，全面支撑高端芯片、先进制造产业迭代升级。行业结构性分化将持续加剧，掌握中高端核心技术、稳定量产能力、优质客户认证、全链条配套优势的头部企业将持续收割行业红利，低端同质化、技术落后、认证缺失的中小产能将持续加速出清。同时，行业仍面临高端技术短板、认证周期冗长、市场结构性内卷、海外地缘壁垒等核心挑战，长期高端化、自主化升级压力持续存在。

整体而言，光刻胶行业正处于国产替代黄金周期与高端跃升关键期，市场增量空间广阔、产业战略地位突出，是我国半导体产业安全与高质量发展的核心支撑赛道。对于行业参与者而言，核心竞争策略需聚焦三大维度：一是坚守技术自主创新，分层推进低端迭代、中端放量、高端攻坚，补齐原材料、设备、工艺配套短板，筑牢全链条技术壁垒;二是深耕差异化赛道，跳出低端价格内卷，聚焦中高端半导体、先进封装、高端显示等高景气场景，以稳定品质、定制化方案、快速认证服务构建核心竞争力，优化盈利结构;三是统筹产业安全与全球化发展，完善自主可控产业生态与全域合规体系，依托国内市场筑牢基本盘，稳步推进中端产品全球化出海，实现国内替代、全球拓展的双向赋能。未来，光刻胶行业将持续完成全层级国产替代，推动我国半导体材料产业摆脱外部依赖，助力国内先进制造业、数字经济产业实现高质量自主可控发展。

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