半导体分立器件行业现状 进口替代效应将显著增加

半导体分立器件行业现状

半导体分立器件是电力电子产品的基础之一，也是构成电力电子变化装置的核心器件之一，主要用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等，具有应用范围广、用量大等特点，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。

当前半导体分立器件产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业关注，有望成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，具有极强的应用战略性和前瞻性。目前美欧、日韩及台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料半导体功率器件的量产。新材料半导体的涌现将不断提升半导体器件的性能，使得产品能够满足更多应用领域的需求。

对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而MOSFET、IGBT等分立器件产品，尤其是高功率器件，由于其技术及工艺的先进性，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。目前，国内行业内企业通过多年的技术和资本积累，依托国家产业政策的重点扶持，也已开始布局新型半导体材料领域，并取得了一定成效。

据中研产业研究院报告《半导体分立器件项目商业计划书(2021年版)》分析

国内现状就是低端产品居多，高端产品还是被国际玩家垄断，扬杰科技历来非常注重研发，研发人员、研发费用逐年提高，战略布局Mosfet及第三代半导体。Mosfet是高端半导体分立器件的一种，利润率明显高于目前公司的产品。第三代半导体主要是以碳化硅 (SiC)、氮化镓(GaN)为代表，即宽禁带半导体材料。第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是半导体材料领域最有前景的材料。

进口替代效应将显著增加

近年来，我国半导体分立器件行业的产销规模不断扩大，对国外产品的进口替代效应不断凸显。未来，随着国内半导体分立器件行业逐步突破高端产品的技术瓶颈，国内优秀企业将凭借地缘、技术和成本等方面的优势获得更多的发展机会，我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，进口替代效应将显著增加。军工半导体分立器件产业长期推行国产化和自主可控，经过长期积累，已形成较为成熟的生产工艺和产业体系，国产化程度较高，尤其在高可靠产品领域具有明显优势，民用市场为半导体分立器件军民两用技术提供了广阔的发空间，相关军工企业有望充分受益于民用市场的拓展。

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