砷化镓是继单晶硅之后的第二代半导体材料,是目前最重要、最具发展前途的化合物半导体材料,也是科学家研究最深入、应用最广泛的半导体材料。砷化镓由于特殊性能还正在微电子领域、光电子、半导体照明领域以及军事工业、宇航工业、计算机等尖端科技领域发挥着越来越大的作用。砷化镓的其它用途也还正在被开发。
国务院颁布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出推进碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展,集成电路产业是信息产业的基础,是关系着国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。在国家宏观政策扶持和市场需求提升的推动下,国产替代集成电路产业发展迅猛。
相比硅半导体器件,以氮化镓和砷化镓为代表的化合物半导体具有大功率、高频率、宽禁带、抗辐射等方面的优势,特别适用于制造射频器件、光电子器件、电力电子器件等,在5G移动通信、物联网、汽车电子、光纤通信、人工智能等新兴市场具有广泛的应用价值,因此,第二代\第三代化合物半导体高性能芯片研制将迎来加速发展,成为支撑自主可控信息产业的核心力量,获得新的发展机遇。
在新能源汽车刚性需求驱动下,碳化硅产业链在实现综合成本优势之后,有望迎来爆发式增长;砷化镓未来仍将继续主导sub-6G手机射频,国内PA厂商的发展带来本土砷化镓代工需求;GaN在5G宏基站和消费级快充上将取得大发展。砷化镓龙头股重点标的:三安光电(化合物半导体全产业链)、华润微(碳化硅器件)。
化合物半导体材料在电子迁移速率、临界击穿电场、导热能力等特性上具有独特优势。砷化镓PA平均单机价值从4G的3.25美元增加至5G的7.5美元,砷化镓晶圆市场规模从2019年的2亿美元提升至2025年的3.5亿美元,核心受益环节是代工厂和射频IDM。碳化硅成本高昂及可靠性问题是阻碍碳化硅发展的最大障碍。两年之内,电动车的快速发展或将造成全球碳化硅衬底的供需失衡。假设未来五年碳化硅模块价格每年下降10%,IGBT价格每年下降5%,电池成本每年下降10%
砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能,但由于它在高温下分解,故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料,技术上要求比较高。2020年全球砷化镓(GaAs)晶圆市场规模为2.55亿美元。
根据中研普华研究院《中国砷化镓行业深度发展研究与“十四五”企业投资战略规划报告》报告显示:
报告目录 CONTENTS
第一章 砷化镓行业相关概述
第三节 砷化镓行业发展成熟度分析
一、行业发展周期分析
二、行业市场成熟度
第二章 砷化镓行业产业链分析
第一节 砷化镓产业链结构分析
第二节 砷化镓行业上游行业分析
一、砷化镓衬底材料行业发展现状
二、砷化镓外延片行业发展现状
三、砷化镓IC设计行业发展现状
第三节 砷化镓行业下游行业分析
一、LED行业发展现状
二、5G基站行业发展现状
三、智能手机行业发展现状
第三章 砷化镓行业市场环境及影响分析
第一节 砷化镓行业政治法律环境
一、行业管理体制分析
二、行业主要法律法规
三、行业主要政策动向
第二节 行业经济环境分析
《中国砷化镓行业深度发展研究与“十四五”企业投资战略规划报告》研究全球与中国市场砷化镓(GaAs)晶片的发展现状及未来趋势,分别从生产和消费的角度分析砷化镓(GaAs)晶片的主要生产地区、主要消费地区以及主要的生产商。重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格、产量、产值及全球和中国市场主要生产商的市场份额。
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