全球半导体储存器产业市场格局 中国半导体存储器行业发展前景

半导体存储器是半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的固态电子器件。它由大量相同的存储单元和输入、输出电路等构成。

RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)，当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分)，SRAM主要用于高速缓存存储器。

半导体储存器行业发展现状

2021年Q3，包括DRAM和NAND闪存在内的半导体存储(Mos Memory)的出货额并未超过2018年Q3的峰值(441亿美元)。但从2020年Q4到2021年Q2出货量的急剧上涨，不免令人心生恐惧，因为这个斜率与2016-2018年Q3的内存泡沫相当。

据市场调查机构TrendForce预测，全球DRAM(半导体存储器的一种)价格将结束今年年初以来一直上涨的趋势，第四季度将环比下降3%～8%，特别是明年将进一步下跌，预计将比今年下降15%～20%。但也有人预测称，即使半导体存储器价格有所调整，也不会出现价格暴跌或行业萧条的局面，明年第二季度将再次反弹。

受行业负面预测影响，在全球DRAM市场占据第一和第二位的三星电子和SK海力士近期股价走弱。据悉，DRAM销售在三星电子半导体部门和SK海力士存储器部门所占比重分别为90%和50%。韩业界人士表示，韩国半导体行业不应被DRAM价格下跌论所束缚，而应提高新一代DRAM和半导体代工的竞争力。

根据中研普华出版的《2021-2026年半导体储存器行业深度分析及投资价值研究咨询报告》显示：

据统计，存储器在整个半导体市场规模中的占比超过三分之一，智能手机等消费级产品的存储容量配置持续提升，数据中心对存储耗用量也在持续提升，整体存储位元的需求持续增长。

全球半导体储存器产业市场格局

存储产业市场格局高度集中，主流存储器DRAM、NAND市场额均高度集中于三星、海力士、美光、铠侠等海外厂商，而国内存储产业尚处于起步阶段。

三星是半导体存储器的巨头企业。近日，三星第四次参加第四届北京进博会。随着全球数据量以指数级增长、数据类型逐渐多元，数据处理需要更加安全、高效的存储和读取技术。本届进博会上，三星展示了多款面向大数据业务的存储产品。

DRAM是最为常见的系统内存，存储速度快、存储容量大，在计算机中常作为主存储器。三星展出的14纳米DDR5内存，是业内首款基于14纳米EUV技术的DRAM产品，容量可达512GB。与普通DDR4相比，功耗降低20%，频率可达7200MHz，能满足超级计算机、机器学习、人工智能等方面的需求，并通过提高性能和降低功耗，满足IT行业对绿色发展的要求。

NAND闪存方面，三星展出了新一代企业级SSD硬盘PM9A3系列，使用三星第六代V-NAND闪存技术，容量最高达7.68TB，速度可达6500MB/s，存储一部5GB的高清电影仅需约0.7秒，对需要高速处理大容量数据存储的用户及企业来说，可大幅提升工作效率。

面向AI时代对超高速处理速度的需求，三星展示了针对AI效率提升的存储产品。代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片，容量是上一代8GB“Aquabolt”HBM2的两倍，速度提高1.5倍，AI训练效率提高6倍，同时可显著提高带宽及电源效率，这将极大提升下一代计算机系统的性能。

中国半导体储存器行业发展前景

根据资料，2017年，中国科学院微电子研究所与北京航空航天大学联合成功制备国内首个80纳米自旋转磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件，对我国存储器行业的技术突破形成了具有实际意义的推动作用...

之后，国内开始布局存储产业规模化，中国大陆的存储器公司陆续成立，存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下，国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。

近年来，中国陆续攻克了3D NAND Flash和DRAM技术。DRAM现在的发展按照产品分类分为DDR/LPDDR/GDDR和传统型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流应用为SSD等大容量存储领域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的发展方向是3D堆叠，国外先进企业均已纷纷开发出100层以上堆叠的NAND Flash。

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