光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。2016-2019年，全球半导体光刻胶的市场规模从15亿美元增长至2019年的18亿美元，年复合增速达6.3%，2020年，全球半导体光刻胶市场规模约为19亿美元。全球半导体光刻胶领域主要被JSR、TOK、罗门哈斯、信越化学、富士材料等头部厂商垄断，尤其是高端EUV和ArF光刻胶几乎完全被美国和日本控制。国产光刻胶企业无论是技术水平还是市场份额均远落后世界先进厂商。
光刻胶，又称为光致抗蚀剂，是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，通过曝光其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。光刻胶是PCB、LCD和半导体等各应用行业的上游材料，一般相同用途的光刻胶，由于投资大、市场比下游应用行业小，行业集中度非常高，只能有几家企业生存。光刻胶专用化学品具有相似特征，即品种多、用量小、品质要求高，投资相对普通化学品大，行业集中度高。
而半导体光刻胶技术壁垒较高、市场高度集中，几乎被日美企业垄断，生产商主要有日本JSR、信越化学工业、日本TOK、陶氏化学等。
我国在2000年左右才开始着手光刻胶的研发，目前整体还处于起步阶段，工艺技术水平与国外企业有很大的差距，尖端材料及设备仍依赖进口。例如，京东方目前已建立17个面板显示生产基地，其中有16个已经投产，但京东方用于高端面板的光刻胶仍然由国外企业提供。目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等国家，包括陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、LG化学等等，中国公司在光刻胶领域也缺少核心技术。
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。伴随着新一代曝光技术(NGL)的研究与发展，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。
在一个供大于求的需求经济时代，企业成功的关键就在于，是否能够在需求尚未形成之时就牢牢地锁定并捕捉到它。那些成功的公司往往都会倾尽毕生的精力及资源搜寻产业的当前需求、潜在需求以及新的需求。随着光刻胶行业竞争的不断加剧，国内优秀的行业企业愈来愈重视对市场的研究，特别是对企业发展环境和客户需求趋势变化的深入研究。正因为如此，一大批国内优秀的行业企业迅速崛起，逐渐成为行业中的翘楚!
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