刻蚀是通过移除晶圆表面材料,在晶圆上根据光刻图案进行微观雕刻,将图形转移到晶圆表面的工艺。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀,湿法刻蚀是利用化学溶液溶解晶圆表面的材料,干法刻蚀使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来刻蚀材料并形成可以从衬底上移除的挥发性副产品。
刻蚀工艺使用的半导体设备为刻蚀机。全球刻蚀设备行业的主要企业即泛林半导体,东京电子和应用材料三家。从全球刻蚀设备市场份额来看,三家企业的合计市场份额就占到了全球刻蚀设备市场的90%以上。其中泛林半导体独占52%的市场份额,东京电子与应用材料分别占据20%和19%的市场份额。
国内的刻蚀设备企业主要有中微公司、北方华创、屹唐半导体和中电科。其中,中微公司、北方华创和屹唐半导体均以生产干法刻蚀设备为主,中电科除了生产干法刻蚀设备以外还生产湿法刻蚀设备。除上述企业外,国内还有创世微纳、芯源微和华林科纳等企业生产刻蚀设备。
据中研产业研究院报告《2021-2026年中国刻蚀机市场深度全景调研及投资前景分析报告》分析
刻蚀机产业链中,上游为刻蚀机的四大组成部分,主要包括预真空室、刻蚀腔体、供气系统及真空系统;中游为刻蚀机的制造,刻蚀技术主要有两种,传统湿法刻蚀技术及现代干法刻蚀技术;下游为刻蚀机的应用,主要用来制造半导体器件、太阳能电池及其他微机械制造。
由于光刻机在20nm以下光刻步骤受到光波长度的限制,因此无法直接进行光刻与刻蚀步骤,而是通过多次光刻、刻蚀生产出符合人们要求的更微小的结构。目前普遍采用多重模板工艺原理,即通过多次沉积、刻蚀等工艺,实现10nm线宽的制程。根据相关数据,14nm制程所需使用的刻蚀步骤达到64次,较28nm提升60%;7nm制程所需刻蚀步骤更是高达140次,较14nm提升118%,工艺升级持续推动刻蚀机用量提升。
近年来,随着国内晶圆厂制程工艺的进步,多重曝光工艺逐步得到应用,对刻蚀设备的需求潜力增大,带动了我国刻蚀设备行业的发展。在政策的推动和研发的进步下,我国刻蚀设备行业涌现出了一批优秀的领先企业。但我国企业在刻蚀设备制造方面距离世界头部企业仍有一定的距离,刻蚀设备研发进度仍待加快。
2020年全球刻蚀设备市场规模123.3亿美元,预计到2024年市场规模151.8亿美元,2019-2024年年均复合增长率为7%。
根据被刻蚀材料的不同,刻蚀设备可分为介质刻蚀设备和导体刻蚀设备,其中导体刻蚀包括硅刻蚀和金属刻蚀。数据显示,2020年全球导体刻蚀和介质刻蚀占比分别为61%和39%。
国产替代空间广
国内刻蚀龙头企业的部分技术已达到国际一流水平。在目前广泛使用的高密度等离子刻蚀设备上,中微公司的ICP和CCP刻蚀设备与泛林集团DRIE刻蚀设备的刻蚀效果相当。同时,中微公司的介质刻蚀已经进入台积电7nm/5nm产线,是唯一一家进入台积电产线的国产刻蚀设备生产商。北方华创在ICP刻蚀领域优势显著,已量产28nm制程以上的刻蚀设备,同时已经突破14nm技术,并进入中芯国际14nm产线验证阶段。随着国内刻蚀龙头紧跟先进制程发展,加大研发投入,积极并购与整合,整体国产刻蚀设备水平有望快速迭代升级并完成刻蚀领域的国产替代。
想要了解更多刻蚀机行业的发展前景,请查阅《2021-2026年中国刻蚀机市场深度全景调研及投资前景分析报告》。

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