美国同意三星向其中国工厂提供设备 存储芯片价格反弹前景预测

美国同意三星向其中国工厂提供设备

据韩联社报道，韩国总统办公室周一表示，美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备，而无需另行批准。此外三星电子将下调平泽三厂(P3)投资规模，并大砍DRAM、NAND Flash达产规模，其中NAND增设规模或降至原定三分之一水准。

半导体产业是强周期、成长性两大特征都很明显的典型行业，大致上遵循4到5年完成一轮盛衰转换的规律，从谷到峰的上行周期通常1-3年时间，从峰到谷的下行周期通常1-2年时间，牛长熊短。

从近10年来DRAM、NAND Flash存储芯片价格起伏规律来看，本轮下行周期已经持续了一年半，根据牛长熊短的周期分布和DRAM、NAND Flash近日调涨的价格信号，当前可能已经处于下行尾部重拾升势的酝酿阶段。

据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上;预计最快本月新合约便将采用新价格。

事实上，仅仅在上半年，三星、SK海力士、美光三大巨头在存储芯片领域的亏损已经高达千亿美元，如此巨额亏损迫使它们不得不采取措施，不断提价无疑就是悬崖勒马的自救之举，否则前几年的利润积累有可能在短时间内消耗殆尽。

作为市占率第一的存储制造商，今年以来，三星一直奉行减产保价战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。

如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星9月已与客户(包括小米、OPPO及谷歌)签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20%。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。

10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。

韩国国际贸易协会(KITA)周二公布的数据显示，今年第一季度韩国出口同比下降12.6%，至1515亿美元。主要由于芯片出口疲软。

报告显示，今年第一季度，芯片和其他中间产品的出口下降了19.5%，与去年同期9%的增长相比出现了急剧转变。特别是芯片出口同比减少了40%，钢铁出口减少了15.8%。

2023存储芯片市场供需局面

今年第一季度，韩国对中国的出口比去年同期下降了近30%，对越南和日本的出口也分别减少了25.2%和10.1%。

由于存储芯片市场持续低迷，韩国芯片制造巨头、苹果供应商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了创纪录的季度运营亏损。不过该公司表示，各大存储芯片制造商减产后，将从今年下半年开始改善市场状况。

这家全球第二大存储芯片制造商公布，今年一季度营业亏损3.4万亿韩元(合25.4亿美元)，上年同期盈利2.9万亿韩元。这一结果符合分析师的预期。

这是SK集团自2012年收购海力士以来的最大亏损，也是继去年第四季度亏损1.9万亿韩元后，连续两个季度出现亏损。

财报显示，该公司一季度营收同比下降58%，至5.1万亿韩元。

SK海力士表示，公司亏损进一步扩大，主要是因为全球经济放缓令第一季度存储芯片供过于求的局面恶化，导致价格下跌。

尽管SK海力士录得创纪录亏损，但由于公司表示未来存储芯片市场将反弹，该公司股价周三早盘录得上涨，目前上涨约3%。

根据中研普华研究院《2023-2028年国内存储设备行业发展趋势及发展策略研究报告》显示：

存储芯片的价格周期

从DRAM的价格周期看，自2012 年至今DRAM已经经历了三轮周期。

*轮周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2为周期上行，主要驱动力为智能手机爆发，对 DRAM 的需求增长;2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因为各厂商扩产落地导致供大于求。

第二轮周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驱动力为主要的存储芯片厂商转移产能至3D NAND Flash，DRAM 无扩产计划;2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中国和美国贸易摩擦导致全球下游需求萎靡，服务器、PC、笔记本电脑等需求不佳，DRAM供过于求。

第三轮周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2为周期上行，主要驱动力为疫情下，线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增， 5G 手机升级驱动单机容量升级，带动 DRAM 价格回升。2021年Q3至今为周期下行，原因是随着智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存。

NAND Flash与DRAM的价格周期波动情况相似，自2012年至今也经历了三轮周期。

从2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash两大内存芯片价格已经下跌长达20个月。各存储芯片厂商正在集中减产、应对库存问题、节约资本开支，并推迟先进技术的进展，以应对存储器需求的疲软。

为了应对 3DNAND 和 DRAM 内存需求放缓的问题，美光宣布将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，除此之外，美光还宣布将在2023年削减30%的资本开支。

SK 海力士也宣布削减2023年的资本支出50%以上，并对收益较低的存储产品进行减产。随后在今年年初，有台媒报道SK海力士已调降供国内设施使用的晶圆产量10%。

铠侠也做出了减产动作，调整日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂的生产，晶圆生产量将减少约30%。

西部数据宣布NAND闪存产量减少30%。

就在近日，三星一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产。三星电子表示，将把内存芯片产量削减至“合理水平”，主要以PC内存“DDR4”等通用产品为中心推进。

随着各家存储器大厂纷纷大幅减产，存储芯片供给端过剩现象将进一步改善。近期，从海外三大存储巨头的预测来看，市场情况正在出现微妙变化。

据美光透露，存储芯片库存已至高点，后续有望迎来行业拐点。虽然目前存储价格仍在下行，但厂商库存压力已达到峰值，后续有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股东大会上也透露，预计存储芯片需求将在今年下半年复苏，但不确定性依旧存在，公司今年资本开支将减半，不会进一步减产。

铠侠也认为随着今年中国经济全面重启，客户库存水平逐季降低，市场需求将于今年下半年复苏。

在近日召开的CFMS 2023峰会上，中国存储龙头长江存储的首席运营官程卫华在演讲中也提到，得益于智能手机、服务器和个人电脑制造商的需求订单，全球NAND闪存市场的供需将在今年下半年达到平衡。

国产存储芯片扩展到了8Gb

国产芯片又传来好消息，近日，存储芯片企业江波龙表示，其自主研发了SLC闪存芯片，容量从512Mb扩展到了8Gb。

目前，存储芯片中DRAM与闪存合计占比达到了95%，其中DRAM占比为52%，闪存芯片中，NAND占40%，NOR3%。

NOR闪存与NAND闪存有很大的区别，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小，主要用来存储代码及少量数据，比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。

而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，成本要低一些，而容量大得多，主要用来存储资料。

《2023-2028年国内存储设备行业发展趋势及发展策略研究报告》由中研普华研究院撰写，本报告对该行业的供需状况、发展现状、行业发展变化等进行了分析，重点分析了行业的发展现状、如何面对行业的发展挑战、行业的发展建议、行业竞争力，以及行业的投资分析和趋势预测等等。报告还综合了行业的整体发展动态，对行业在产品方面提供了参考建议和具体解决办法。